[實用新型]半導體處理設備

有效

• 申請號: 201220317707.1
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN202678292U
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 梁秉文
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本實用新型涉及一種半導體處理設備。

背景技術

現階段半導體器件已經廣泛應用在生產、生活的方方面面，并極大地提高了生產效率，方便和豐富了人民的生活。

生產半導體器件需要各種的半導體處理設備，如：物理氣相沉積(PVD)設備、化學氣相沉積(CVD)設備和刻蝕(etching)設備。現有技術的半導體處理設備對半導體的處理的過程中，需要將襯底放置到反應腔內的襯底支撐座上，通過襯底支撐座對襯底進行加熱并調節襯底的溫度。以下以有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)設備為例對現有技術的半導體處理設備進行簡單說明。

請參閱圖1，圖1為現有技術MOCVD設備的結構示意圖。所述MOCVD設備1包括腔體11設置在所述腔體11內的進氣裝置12和襯底支撐座。所述進氣裝置12設置在所述腔體11的頂部。所述襯底支撐座設置在所述腔體11的底部，并且與所述進氣裝置12相對設置。

所述襯底支撐座用于在所述MOCVD設備1對襯底進行處理時，支撐并加熱所述襯底。所述襯底支撐座包括支撐基座13和加熱器14。所述支撐基座13包括面向所述進氣裝置12的襯底支撐面131和與所述襯底支撐面131相對的底面132。襯底可被設置在所述襯底支撐面131。所述加熱器14設置在所述支撐基座13臨近所述底面132的一側。所述加熱器14通過熱輻射或熱對流的方式對所述支撐基座13進行加熱，通常所述加熱器14為電熱絲加熱器。

在進行襯底處理的過程中，待加工襯底被設置在所述支撐基座13的襯底支撐面131。所述加熱器14對所述支撐基座13進行加熱，使得所述支撐基座13達到預設的溫度。反應氣體從所述進氣裝置12進入所述腔體11內并在所述支撐基座13的上表面受熱發生反應從而在所述襯底表面沉積一層薄膜。

對襯底進行處理，需要控制和調節所述支撐基座13的支撐表面131溫度參數。所述溫度參數包括溫度大小、溫度分布和溫度均勻性等等。現有技術的襯底支撐座通常通過調節加熱器14的輸出功率來調節所述支撐基座13的支撐表面131溫度；如通過控制電阻加熱絲發熱功率。

然而，對加熱器14的輸出功率的調節是有限的，隨著技術的發展，通過調節加熱器14的輸出功率的方式來調節所述支撐基座13的支撐表面131溫度已經不能滿足MOCVD設備的發展需求。現有技術的其他類型CVD設備，如：PECVD設備、LPCVD設備等，以及其它半導體處理設備：如PVD設備和Etching設備等都有具有基本相同的襯底支撐座，因此也存在基本相同的問題。

實用新型內容

為解決現有技術半導體處理設備的襯底支撐座對襯底的溫度調節不能滿足技術發展的需求的問題，本實用新型提供一種新型的半導體處理設備。

一種半導體處理設備，其包括腔體、進氣裝置和設置在所述腔體中的襯底支撐座，所述進氣裝置用于向所述腔體中輸入反應氣體，所述一種襯底支撐座包括：支撐基座，用于支撐一個或多個襯底；加熱器，所述加熱器用于加熱所述支撐基座，所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，從而調節所述支撐基座的溫度。

本實用新型的半導體處理設備中，所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，因所述加熱器和所述支撐基座的之間熱交換與其二者之間的距離相關，距離變小，所述加熱器與所述支撐基座的之間熱交換變大，所述支撐基座的溫度就升高，反之亦然；因此，通過調節加熱器至少部分與所述支撐基座之間的距離就可以達到調節所述支撐基座溫度；從而擴展了對所述支撐基座溫度調節方式和/或溫度調節范圍。

附圖說明

圖1為現有技術MOCVD設備的結構示意圖。

圖2是本實用新型半導體處理設備第一實施方式的襯底支撐座剖面結構示意圖。

圖3為本實用新型半導體處理設備第二實施方式的襯底支撐座剖面結構示意圖。

圖4為圖3所示加熱器的平面結構示意圖。

圖5是本實用新型半導體處理設備第三實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。

圖6是本實用新型半導體處理設備第四實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。

圖7是圖6所述加熱器的平面結構示意圖。

圖8是圖6所述加熱器的另一實施方式平面結構示意圖。

圖9是本實用新型半導體處理設備第五實施方式的襯底支撐座截面結構示意圖。

具體實施方式