[實用新型]半導體處理設備

有效

• 申請號: 201220317707.1
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN202678292U
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 梁秉文
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種半導體處理設備，其包括腔體、進氣裝置和設置在所述腔體中的襯底支撐座，所述進氣裝置用于向所述腔體中輸入反應氣體，所述襯底支撐座包括：

支撐基座，用于支撐一個或多個襯底；

加熱器，所述加熱器用于加熱所述支撐基座，其特征在：

所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調，從而調節所述支撐基座的溫度。

2.如權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于：所述加熱器包括至少第一加熱單元和設置在所述第一加熱單元周圍的第二加熱單元，所述第一加熱單元對應所述支撐基座的中心區域，所述第二加熱單元對應所述支撐基座的邊緣區域，所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的距離可調。

3.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于：所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離固定，所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的距離小于或等于所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離。

4.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于：所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離可調，所述第一加熱單元與所述支撐基座的距離大于或等于所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的最大距離。

5.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于：所述第二加熱單元通過平移的方式調節與所述支撐基座之間的距離。

6.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于：所述第二加熱單元包括設置在所述第一加熱單元周圍的多個加熱模塊，所述加熱模塊通過繞一轉軸轉動的方式調節所述加熱模塊與所述支撐基座之間的距離，使得，調節所述第二加熱單元靠近所述支撐基座時，所述加熱模塊遠離所述第一加熱單元的一側更靠近所述支撐基座。

7.如權利要求6所述的半導體處理設備，其特征在于：所述第一加熱單元呈多邊形，所述多個加熱模塊呈條形，所述多個加熱模塊對應臨近所述呈多邊形的第一加熱單元各個邊設置，并以對應的邊作為轉軸。

8.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于：所述第一加熱單元包括主加熱模塊和中心加熱模塊，所述中心加熱模塊設置在由所述主加熱模塊圍繞的區域，所述主加熱模塊與所述支撐基座之間的距離固定，所述中心加熱模塊與所述支撐基座之間的距離可調，所述距離大于所述主加熱模塊與所述支撐基座之間的距離。

9.如權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于：所述支撐基座包括一襯底支撐面和一與所述襯底支撐面相對的底面，所述襯底設置在所述襯底支撐面，所述加熱器設置在臨近所述支撐基座的底面一側。

10.如權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于：所述加熱器對所述支撐基座的加熱方式包括熱輻射或熱對流。