[實用新型]一種接觸式曝光掩膜版

有效

• 申請號: 201220316234.3
• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN203164592U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 信恩龍;李喜峰;張建華
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: G03F1/40
• 分類號: G03F1/40
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

技術領域

本實用新型適用于半導體光刻技術領域，涉及一種光刻工藝中接觸式曝光掩膜版。?

技術背景

????光刻技術一直在集成電路(IC)工業的發展中起著至關重要的作用。接觸式光刻在光刻技術的發展過程中,由于成本低、操作簡單、分辨率也能達到較高水平而被廣泛使用，也有著非常重要的地位,?在國內目前也有著廣泛的應用。?

接觸式曝光技術是七、八十年代普遍采用的一種光學光刻技術,?接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩膜與基片間相對關系是貼緊還是分開,接觸式曝光時掩膜版壓在光刻膠的襯底基片上，接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點，但由于涂覆光刻膠的基片與掩膜的接觸會產生靜電吸附灰塵及其它顆粒，每一次接觸過程，會在基片和掩膜上都造成一定的缺陷，影響成品率和掩膜版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。因此，接觸式光刻機一般用于能容忍較高缺陷水平的器件研究和其他應用方面,一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。?

接觸式曝光有極好的分辨率,?但存在圖形尺寸難于控制、對準精度低和掩膜容易劃傷等嚴重問題,為了克服這些缺點,對接觸式曝光系統作了很多改進，本實用新型能夠有效減少接觸式曝光時掩膜和基板緊密接觸容易擦傷掩膜，以及摩擦產生靜電吸附灰塵和顆粒的作用，完成更精確的圖形轉移過程。?

實用新型內容

本實用新型的目的在于針對已有技術存在的缺陷，提供一種接觸式曝光掩膜版，提高曝光質量。為達到目的，本實用新型采用下述技術方案：?

一種接觸式曝光掩膜版，包括一塊蘇打玻璃或石英玻璃基板，其特征在于：所述玻璃基板的上面鍍有金屬鉻薄膜，光刻工藝得到鉻薄膜圖案，鉻薄膜圖案上覆一層導電膜。

上述玻璃基板是正方形，邊長為200mm，厚度3-8mm。?

上述鉻薄膜是濺射或沉積在玻璃基板上的，厚度為100-200nm。?

上述導電膜為透明導電膜，該透明導電膜為透明銦錫金屬氧化物ITO薄膜，透明導電膜是正方形，邊長為200mm，厚度為50-100nm。?

本實用新型與現有技術相比較，具有如下顯而易見的實質性特點和進步：本實用新型提供的接觸式曝光掩膜版，可以設計成不同的圖案，能夠適用于各種待曝光器件，它主要應用在接觸式曝光中，在掩膜版的鉻薄膜圖案上鍍一層透明導電膜，可以降低掩膜版與基板接觸摩擦產生的靜電，降低掩膜版上灰塵顆粒的吸附，降低光刻缺陷，提高工藝質量。?

附圖說明

圖1?是玻璃上鍍有一層鉻薄膜；?

圖2?是經過光刻工藝得到的鉻圖案的流程圖；

圖3?是鍍有鉻圖案的掩膜版；

圖4?是本實用新型提供的鉻圖案上鍍有一層透明導電膜的掩膜版；

圖5?是本實用新型優化設計在鉻圖案上生長一層防反射膜；

附圖標記：1-石英玻璃??????????2-鉻薄膜圖案

3-透明導電膜?????4-防反射膜。

具體實施方式

為使本實用新型的技術方案和目的更加清楚，下面結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式結合進一步詳細描述。?

實施例一：參加圖4，本接觸式曝光掩膜版，包括一塊蘇打玻璃或石英玻璃基板1，所述玻璃基板1的上面鍍有金屬鉻薄膜，光刻工藝得到鉻薄膜圖案2，鉻薄膜圖案2上覆一層導電膜3。?

實施例二：本實施例與實施例一基本相同，特別之處如下：所述玻璃基板是正方形，邊長為200mm，厚度3-8mm；所述鉻薄膜是濺射或沉積在玻璃上的，厚度為10-10000nm，最優為100-200nm；所述導電膜為透明導電膜，該透明導電膜為透明銦錫金屬氧化物（ITO）薄膜，透明導電膜是正方形，邊長為200mm，厚度為10-2000nm，最優為50-100nm。?

實施例三：首先在玻璃基板上淀積一層鉻薄膜見圖1所示，最優的沉積方法是濺射沉積。?

本實施例的接觸式曝光掩膜版的制備如下：接著在鉻薄膜上旋涂一層均勻的光刻膠，烘烤堅固光刻膠，然后采用激光或電子束直接將圖案描繪到光刻膠上，顯影將被光照射的光刻膠去除，再進行刻蝕去除鉻，結合本實施例，優選濕法刻蝕得到鉻薄膜圖案，最后剝離光刻膠得到圖3所示的掩膜版示意圖，鉻薄膜厚度為100-200nm。?