[實用新型]一種接觸式曝光掩膜版有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220316234.3 | 申請日: | 2012-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN203164592U | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 信恩龍;李喜峰;張建華 | 申請(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號: | G03F1/40 | 分類號: | G03F1/40 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 接觸 曝光 掩膜版 | ||
1.一種接觸式曝光掩膜版,包括一塊蘇打玻璃或石英玻璃基板,其特征在于:所述玻璃基板的上面鍍有金屬鉻薄膜,光刻工藝得到鉻薄膜圖案,鉻薄膜圖案上覆一層導(dǎo)電膜。
2.如權(quán)利要求1所述的接觸式曝光掩膜版,其特征在于所述玻璃基板是正方形,邊長為200mm,厚度3-8mm。
3.如權(quán)利要求1所述的接觸式曝光掩膜版,其特征在于所述鉻薄膜是濺射或沉積在玻璃基板上的,厚度為100-200nm。
4.如權(quán)利要求1所述的接觸式曝光掩膜版,其特征在于:所述導(dǎo)電膜為透明導(dǎo)電膜,該透明導(dǎo)電膜為透明銦錫金屬氧化物ITO薄膜,透明導(dǎo)電膜是正方形,邊長為200mm,厚度為50-100nm。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





