[實(shí)用新型]用于玻璃基板高溫退火時(shí)的石英板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220313819.X | 申請(qǐng)日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202736893U | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張潔;邱勇;黃秀頎;林立;魏博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀麗 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 玻璃 高溫 退火 石英 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于平面顯示器的制造領(lǐng)域,具體涉及一種防止玻璃基板高溫退火時(shí)發(fā)生漂移的石英板。
背景技術(shù)
OLED(英文全稱為:Organic?Light-Emitting?Diode,中文譯為:有機(jī)電致發(fā)光二極管)是主動(dòng)發(fā)光器件,相比現(xiàn)有技術(shù)中流行的薄膜晶體管液晶顯示器(英文縮寫為:TFT-LCD)來(lái)說(shuō),OLED以其高對(duì)比度、廣視角、低功耗以及體積薄等優(yōu)點(diǎn),成為目前平板顯示技術(shù)中最受關(guān)注的技術(shù)。
OLED采用電流驅(qū)動(dòng),所以每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)電路必須保證足夠大的輸出電流,因此驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管采用的半導(dǎo)體材料必須使用遷移率較高的材料,目前應(yīng)用最廣泛的是多晶硅。
多晶硅一般通過非晶硅結(jié)晶的方式形成,目前,非晶硅結(jié)晶成多晶硅的方法包括準(zhǔn)分子激光結(jié)晶方法和高溫退火結(jié)晶方法。
準(zhǔn)分子激光結(jié)晶方法使用激光瞬間熔化非晶硅薄膜使其由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài),該種方法的缺陷在于:薄膜的晶粒大小會(huì)隨著激光能量的差異而出現(xiàn)較大的波動(dòng),制成的OLED產(chǎn)品有嚴(yán)重的不均勻性。
高溫退火結(jié)晶方法需要將沉積有非晶硅薄膜的玻璃基板3放在平面石英板4上進(jìn)行退火,為了滿足較高的遷移率,玻璃基板3需要在退火爐中以600-700℃進(jìn)行數(shù)小時(shí)的退火。該種方法的缺陷在于:數(shù)小時(shí)的高溫作用容易使玻璃基板3發(fā)生翹曲形變,而現(xiàn)有技術(shù)中的平面石英板4上沒有加載任何保護(hù)裝置,這使得翹曲的玻璃基板3在氮?dú)鈿饬鞯淖饔孟拢鄬?duì)平面石英板4產(chǎn)生水平方向的漂移(見圖4),從而導(dǎo)致玻璃基板3超出平面石英板邊界,致使工藝結(jié)束后機(jī)械手自動(dòng)取玻璃基板3時(shí)發(fā)生識(shí)別異常(認(rèn)為沒有玻璃),從而中斷生產(chǎn)過程,或者把玻璃基板3撞到設(shè)備的夾具上,造成設(shè)備的損壞。然而,在平板顯示行業(yè),OLED的玻璃基板3尺寸具有相應(yīng)的規(guī)格,廠商根據(jù)玻璃基板3的尺寸規(guī)格確定平面石英板4的尺寸規(guī)格以及退火爐的尺寸規(guī)格,由于退火爐的尺寸規(guī)格對(duì)平面石英板4的尺寸規(guī)格的限制,如果簡(jiǎn)單的增大石英板的尺寸,就需要同時(shí)增大退火爐的尺寸,這將造成生產(chǎn)成本上的提高,因此,平面石英板4的尺寸不宜過大,一般比玻璃基板3的尺寸規(guī)格大30-50mm,而在實(shí)際退火時(shí),玻璃基板3的漂移幅度很大,往往超出平面石英板4的邊界,所以,依靠簡(jiǎn)單的增大平面石英板4的尺寸并不能同時(shí)很好地解決玻璃基板3漂移和成本控制的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
因此,本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種能夠同時(shí)解決玻璃基板在高溫退火時(shí)的漂移問題并能夠降低生產(chǎn)成本的石英板。
為此,本實(shí)用新型提供一種用于玻璃基板高溫退火時(shí)的石英板,包括承載平面,用于在高溫退火時(shí)承載玻璃基板;還包括:限位裝置,設(shè)置在所述承載平面上,其靠近所述玻璃基板的側(cè)面與所述玻璃基板的外周面相配合防止所述玻璃基板在高溫退火時(shí)水平漂移出所述承載平面。
所述限位裝置為至少3個(gè)位于所述承載平面上限制所述玻璃基板的直角卡槽。
所述直角卡槽為四個(gè),分別設(shè)置于所述承載平面的四角上。
所述限位裝置為至少3個(gè)位于所述承載平面上限制所述玻璃基板的弧形卡槽。
所述弧形卡槽為四個(gè),分別設(shè)置于所述承載平面的四角上。
所述限位裝置為至少3個(gè)位于所述承載平面上限制所述玻璃基板的條形卡槽。
所述條形卡槽為四個(gè),分別設(shè)置于所述承載平面的四條邊上。
相鄰所述條形卡槽不連接。
所述限位裝置與所述承載平面分體成型。
所述限位裝置與所述承載平面一體成型。
本實(shí)用新型提供的用于玻璃基板高溫退火時(shí)的石英板具有以下優(yōu)點(diǎn):
本實(shí)用新型提供一種用于玻璃基板高溫退火時(shí)的石英板,包括承載平面,用于在高溫退火時(shí)承載玻璃基板;還包括:限位裝置,設(shè)置在所述承載平面上,其靠近所述玻璃基板的側(cè)面與所述玻璃基板的外周面相配合防止所述玻璃基板在高溫退火時(shí)水平漂移出所述承載平面。由于設(shè)置有限位裝置,所述限位裝置能夠?qū)λ霾AЩ暹M(jìn)行水平方向的漂移限制,從而利用本實(shí)用新型提供的石英板來(lái)承載所述玻璃基板進(jìn)行高溫退火時(shí),所述玻璃基板不會(huì)相對(duì)所述石英板發(fā)生水平漂移,從而使得本實(shí)用新型的石英板使用時(shí)在不需要增大退火爐的尺寸的情況下就能夠避免玻璃基板的漂移缺陷,同時(shí)很好地解決了玻璃基板漂移和成本控制的問題。
附圖說(shuō)明
為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明,其中
圖1是本實(shí)用新型提供的石英板在承載玻璃基板時(shí)的第一種實(shí)施例的示意圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





