[實用新型]一種低電感的主功率母線結構有效
| 申請號: | 201220301286.3 | 申請日: | 2012-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN202713120U | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 陶高周;李國宏;張磊;哈達 | 申請(專利權)人: | 陽光電源股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/00 | 分類號: | H02M1/00 |
| 代理公司: | 合肥天明專利事務所 34115 | 代理人: | 金凱 |
| 地址: | 230088 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電感 功率 母線 結構 | ||
1.一種低電感的主功率母線結構,包括正極板、負極板和中間絕緣板,所述正、負極板的上端分別設有用于連接電容池模組的正、負極連接端,正、負極板上設有用于連接開關管模塊的正、負極端口,其特征在于:所述正極連接端與負極連接端分別向反方向折彎使正、負極連接端呈Y型結構排列。
2.如權利要求1所述的主功率母線結構,其特征在于:所述正、負極連接端的折彎角度為30°-60°。
3.如權利要求2所述的主功率母線結構,其特征在于:所述正、負極連接端的折彎角度為45°。
4.如權利要求1所述的主功率母線結構,其特征在于:所述正、負極連接端分別設有若干個切槽使正、負極連接端分別切割成若干個正、負極連接子端。
5.如權利要求1所述的主功率母線結構,其特征在于:所述開關管模塊為IGBT模塊、MOSFET模塊、IGCT模塊或IEGT模塊。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于陽光電源股份有限公司,未經陽光電源股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220301286.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種建筑裝飾裝修噴砂裝置
- 下一篇:一種立式磨床砂輪修整裝置
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





