[實用新型]具中介層的封裝基板及其封裝結構

有效

• 申請號: 201220301053.3
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN202651107U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 胡迪群;詹英志
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術領域

本實用新型是關于一種封裝基板及封裝結構，詳而言之，其涉及一種具中介層的封裝基板及其封裝結構。

背景技術

如圖1A所示，為現有覆晶式封裝結構的剖視示意圖，該封裝結構的工藝先提供一具有核心板102、第一表面10a與第二表面10b的雙馬來醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine,BT)封裝基板10，且于該封裝基板10的第一表面10a具有多個覆晶焊墊100；再借由焊料凸塊11電性連接半導體芯片12的電極墊120；接著，于該封裝基板10的第一表面10a與該半導體芯片12之間形成底膠17，以包覆該焊料凸塊11；又于該封裝基板10的第二表面10b具有多個植球墊101，以借由焊球13電性連接例如為印刷電路板的另一外部電子裝置(未表示于圖中)。

然而，為了增進該半導體芯片12的電性效能，故于該半導體芯片12的后端工藝(Back-End?Of?Line,BEOL)中通常將采用超低介電系數(Extreme?low-k?dielectric,ELK)或超低介電常數(Ultra?low-k,ULK)的介電材料，但該low-k的介電材料為多孔且易脆的特性，以致于當進行覆晶封裝后，在信賴度熱循環測試時，將因該封裝基板10與該半導體芯片12之間的熱膨脹系數(thermal?expansion?coefficient,CTE)差異過大，導致該焊料凸塊11所形成的接點易因承受不住熱應力而產生斷裂，甚至造成該半導體芯片12發生破壞，而降低產品可靠度。

再者，隨著電子產品更趨于輕薄短小及功能不斷提升的需求，該半導體芯片12的布線密度愈來愈高，以奈米尺寸作單位，因而各該電極墊120之間的間距變得更??；然而，現有封裝基板10的覆晶焊墊100的間距是以微米尺寸作單位，而無法有效縮小至對應該電極墊120的間距的大小，導致雖有高線路密度的半導體芯片12，卻未有可配合的封裝基板10，以致于無法有效生產電子產品。

另外，隨著半導體封裝技術的演進，半導體裝置已開發出不同的封裝型態，而為提升電性功能及節省封裝空間，遂堆加多個封裝結構以形成封裝堆棧(Package?on?Package，POP)結構，此種封裝方式能發揮系統封裝(SiP)異質整合特性，可將不同功用的電子組件，例如：內存、中央處理器、繪圖處理器、影像應用處理器等，借由堆棧設計達到系統的整合，適合應用于輕薄型各種電子產品。

如圖1B所示，現有封裝堆棧結構是將第二封裝結構2b疊設于第一封裝結構2a上。該第一封裝結構2a包含具有相對的第一及第二表面21a,21b的第一基板21、及設于該第一表面21a上且電性連接該第一基板21的第一電子組件20。該第二封裝結構2b包含具有相對的第三及第四表面22a,22b的第二基板22、及設于該第三表面22a上且電性連接該第二基板22的第二電子組件25。此外，于該第一基板21的第一表面21a上形成焊球210，以使該第二基板22的第四表面22b借由該焊球210疊設且電性連接于該第一基板21上。此外，該第一基板21的第二表面21b上具有植球墊212以供結合焊球24，且該第一及第二電子組件20,25為主動及/或被動組件，并以覆晶方式電性連接基板，且借由底膠23充填于第一及第二電子組件20,25與第一基板21及第二基板22間，以形成覆晶接合。

然而，現有封裝堆棧結構是借由焊錫球堆棧兩封裝結構，該焊錫球的尺寸變異不易控制，因而容易造成該兩封裝結構之間呈傾斜接置、共平面性不良，甚致于產生接點偏移等問題。此外，當堆棧的高度需增加時，該焊錫球的直徑需增加，導致該焊錫球所占用的封裝基板表面積增加，因而使封裝基板表面上的布線與電子組件布設的空間受到壓縮而影響堆棧焊墊(PoP?pad)間距無法持續微縮。此外，此結構中該焊錫球的體積增加后，將容易產生橋接現象，此外，對于以覆晶方式接置半導體芯片的封裝基板而言，于封裝過程面臨覆晶焊墊區底膠(underfill)溢膠容易污染該些堆棧焊墊的表面等問題，而致產品的良率損失。

因此，如何克服現有技術中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

實用新型內容

鑒于上述現有技術的缺點，本實用新型所公開的一種具中介層的封裝基板及其封裝結構能達到線距持續微縮與降低封裝應力的目標。