[實用新型]一種納米級發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220296028.0
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN202712251U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪圣峯
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種發(fā)光二極管，具體涉及一種納米級發(fā)光二極管。?

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（LED），將電流注入金屬體進行均勻擴散后方能發(fā)光。但是隨著LED注入電流的均勻擴散，遮光面積也會隨之上升；反之如果降低遮光面積，電流則會聚集在電極兩端，降低LED效能。?

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種通過采用物理方法，能夠幫助電流均勻擴散并且能夠增加出光效率的納米級發(fā)光二極管。?

一種納米級發(fā)光二極管，包括基體，所述基體表面依次層設(shè)有第一納米層及第二納米層；?

所述第一納米層由納米級高導電金屬線連接構(gòu)成，所述高導電金屬線環(huán)繞在第一納米層的層面周圍，且同時連接在基體中部的觸點上，?

所述第二納米層由若干個納米半導體粒子組合構(gòu)成，所述納米半導體粒子均勻布置在基體中部觸點周圍的第二納米層的層面上。?

所述第一納米層中的納米級高導電金屬線搭配有透明導電層。?

所述第一納米層中的納米級高導電金屬線可采用具有可幫助電流均勻擴撒的納米點代替。?

所述第二納米層中的納米半導體粒子可采用與半導體材料折射率接近的絕緣體代替。?

所述第一納米層中的納米級高導電金屬線的金屬材料為金或銀或鋁。?

所述第一納米層中的透明導電層為摻錫氧化銦透明導電膜、摻銦氧化鋅透明?導電膜、摻鋁氧化鋅透明導電膜。?

本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、制造方便，能夠有效的幫助發(fā)光二極管的電流均勻擴散并且能夠增加出光效率。?

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖2為本實用新型第一納米層的結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖3為本實用新型第二納米層的結(jié)構(gòu)示意圖。?

具體實施方式

實施例1?

參見圖1，本實用新型提供的一種納米級發(fā)光二極管，包括基體1，所述基體1表面依次層設(shè)有第一納米層2及第二納米層3，?

參見圖2，所述第一納米層2由納米級高導電金屬線2a連接構(gòu)成，在本實施例中，該高導電金屬線2a采用納米金線，將納米金線環(huán)繞在第一納米層2的層面周圍，且同時連接在基體1中部的觸點1a上。該第一納米層結(jié)構(gòu)的設(shè)計目的為幫助電流的均勻擴散，所述高導電金屬線2a的金屬材料也可使用具有高導電性質(zhì)的銀、鋁等。?

參見圖3，所述第二納米層3，是將若干個納米半導體粒子3a均勻布置在基體1中部觸點1a周圍的第二納米層3的層面上。該第二納米層結(jié)構(gòu)的設(shè)計目的為增加光的取出效率。?

實施例2?

本實施例與實施例1的不同之處在于：所述第一納米層2中的納米級高導電金屬線2a也可搭配透明導電層，提高電流均勻擴散的效果。該透明導電層可為ITO（摻錫氧化銦透明導電膜）、IZO（摻銦氧化鋅透明導電膜）、AZO（摻鋁氧化鋅透明導電膜）等。?

實施例3?

本實施例與實施例1、2的不同之處在于：所述第一納米層2中的納米級高導電金屬線2a也可采用具有可幫助電流均勻擴撒的納米點代替，但必須搭配透明導電層使電流均勻擴散。?

實施例4?

本實施例與實施例1的不同之處在于：所述第二納米層中的納米半導體粒子3a可采用與半導體材料折射率接近的絕緣體代替，以達到降低電壓，增加出光效率的目的。?