[實用新型]一種納米級發光二極管有效
| 申請號： | 201220296028.0 | 申請日： | 2012-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN202712251U | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發明（設計）人： | 洪圣峯 | 申請（專利權）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/40 | 分類號： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230012 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米級發光二極管，包括基體，其特征在于：所述基體表面依次層設有第一納米層及第二納米層；
所述第一納米層由納米級高導電金屬線連接構成，所述高導電金屬線環繞在第一納米層的層面周圍，且同時連接在基體中部的觸點上，
所述第二納米層由若干個納米半導體粒子組合構成，所述納米半導體粒子均勻布置在基體中部觸點周圍的第二納米層的層面上。
2.根據權利要求1所述的一種納米級發光二極管，其特征在于：所述第一納米層中的納米級高導電金屬線搭配有透明導電層。
3.根據權利要求1或2所述的一種納米級發光二極管，其特征在于：所述第一納米層中的納米級高導電金屬線可采用具有可幫助電流均勻擴撒的納米點代替。
4.根據權利要求1所述的一種納米級發光二極管，其特征在于：所述第二納米層中的納米半導體粒子可采用與半導體材料折射率接近的絕緣體代替。
5.根據權利要求1所述的一種納米級發光二極管，其特征在于：所述第一納米層中的納米級高導電金屬線的金屬材料為金或銀或鋁。
6.根據權利要求2所述的一種納米級發光二極管，其特征在于：所述第一納米層中的透明導電層為摻錫氧化銦透明導電膜、摻銦氧化鋅透明導電膜、摻鋁氧化鋅透明導電膜。?
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