[實(shí)用新型]電源芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220287097.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN202651114U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭凌波;周勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市力生美半導(dǎo)體器件有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/16
• 分類號(hào): H01L25/16;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;周惠來(lái)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電源芯片，尤其涉及電源芯片的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的AC/DC開關(guān)電源控制器，為了提高集成度和降低使用成本，很多小功率器件會(huì)將高壓功率開關(guān)和控制器裝載在一個(gè)封裝中，形成一個(gè)多芯片封裝的組合結(jié)構(gòu)，例如：將一個(gè)功率開關(guān)和一個(gè)控制器裝載在SOP8或DIP8封裝中。現(xiàn)有的這種封裝結(jié)構(gòu)，受限于雙列直插結(jié)構(gòu)，其安裝到PCB板上時(shí)必須采用平躺方式安裝。由于功率開關(guān)的高壓引出端子位于器件的底面，因此一般是將裝載功率開關(guān)的金屬區(qū)及其引出端作為高壓端；由于控制器的底面則一般為接地腳，因此裝載控制器的金屬區(qū)及其引出端作為低壓端，因此兩個(gè)金屬區(qū)不能直接相連，也就是說(shuō)，需要兩個(gè)獨(dú)立的裝載金屬區(qū)。SOP8/DIP8封裝有限的熱容量決定了其本身有限的耗散功率能力，通常在無(wú)外部輔助散熱的情況下其在指定溫升條件下的可用功率容量?jī)H為1.2W/1.5W左右，在一個(gè)典型的AC/DC開關(guān)電源應(yīng)用中可以滿足的系統(tǒng)功率水平為約8W/15W左右。在需要時(shí)，雖然可以通過(guò)安裝輔助散熱裝置來(lái)增加其功率容量，但受限于其平躺式的安裝方式，散熱裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)將非常困難，散熱裝置安裝也非常困難，也無(wú)法保證散熱裝置與芯片表面充分接觸，同時(shí)因?yàn)樵谛酒旧砭嚯x封裝體表面較遠(yuǎn)的距離，使得熱阻很大，芯片發(fā)出的熱量無(wú)法快速傳導(dǎo)到封裝體表面，因此仍然無(wú)法有效且可靠地提高系統(tǒng)功率容量，也就是說(shuō)，SOP8/DIP8封裝存在：功率容量較小、熱量傳導(dǎo)較慢以及輔助散熱不易的問(wèn)題。當(dāng)需要較大的功率容量時(shí)，還常采用TO結(jié)構(gòu)的封裝形式，例如：TO220-3L，TO220-5L，TO220-7L等，這時(shí)可將功率容量提高至DIP8的5-20倍，同時(shí)還具有較快的熱量傳導(dǎo)能力和方便的輔助散熱裝置安裝特性。但這種封裝結(jié)構(gòu)也存在顯著缺點(diǎn)：金屬用量大，成本較高；封裝體外形高度較大，無(wú)法用于超薄型系統(tǒng)設(shè)計(jì)；內(nèi)部空間不易實(shí)現(xiàn)兩個(gè)芯片裝載區(qū)結(jié)構(gòu)；引腳距離不能滿足高壓與低壓距離要求。現(xiàn)有的音頻放大器、信號(hào)處理電路、行場(chǎng)驅(qū)動(dòng)電路等器件中還常采用SIP8單列直插封裝結(jié)構(gòu)，其存在以下缺點(diǎn)：引腳間距僅為1.34mm，無(wú)法滿足高壓與低壓隔離距離的要求；內(nèi)部?jī)H具有一個(gè)芯片裝載區(qū)的結(jié)構(gòu)，無(wú)法滿足安裝兩個(gè)或兩個(gè)以上芯片的要求；內(nèi)部金屬連接結(jié)構(gòu)較小，無(wú)法實(shí)現(xiàn)較低的熱阻性能。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，而提出一種電源芯片，可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)或兩個(gè)以上芯片的封裝并有效降低熱阻。

本實(shí)用新型針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題而提出的技術(shù)方案包括，提出一種電源芯片，包括：相互連接的兩個(gè)載片區(qū)及分別對(duì)應(yīng)承載在該兩個(gè)載片區(qū)上的兩顆晶片，其中一顆晶片為低壓電路晶片，另一顆晶片為第一高壓電路晶片；絕緣本體，包覆在該兩個(gè)載片區(qū)及晶片上；以及七個(gè)導(dǎo)電端子，與該兩個(gè)載片區(qū)及晶片電連接并伸出于該絕緣本體；該七個(gè)導(dǎo)電端子的排布位置與標(biāo)準(zhǔn)的八腳單列直插規(guī)格的七個(gè)管腳位置相對(duì)應(yīng)，其中，該第一載片區(qū)的面積大于該第二載片區(qū)的面積，與該第一管腳位置相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電端子與第一個(gè)載片區(qū)及第一高壓電路晶片相連接，與該第四管腳至第八管腳位置相對(duì)應(yīng)的五個(gè)導(dǎo)電端子與第二個(gè)載片區(qū)及低壓電路晶片相連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，與該第二管腳相對(duì)應(yīng)的位置不設(shè)導(dǎo)電端子，與該第三管腳相對(duì)應(yīng)的一個(gè)導(dǎo)電端子與第二個(gè)載片區(qū)及低壓電路晶片相連接。

該第二載片區(qū)呈豎直延伸的矩形，與該第五管腳位置相對(duì)應(yīng)。

該第一載片區(qū)的面積是該第二載片區(qū)的面積的三倍以上；該第一載片區(qū)包括本體和延伸部，該本體呈橫向延伸的矩形，該延伸部由該本體的外側(cè)端進(jìn)一步向下彎折延伸而成，并與該第一管腳位置相對(duì)應(yīng)。

在另一個(gè)實(shí)施例中，還包括：第三個(gè)載片區(qū)及對(duì)應(yīng)承載在該第三載片區(qū)上的第二高壓電路晶片；該絕緣本體還包覆在該第三載片區(qū)及第二高壓電路晶片上；其中，與該第二管腳位置相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電端子與該第三載片區(qū)及第二高壓電路晶片相連接，與該第三管腳相對(duì)應(yīng)的位置不設(shè)導(dǎo)電端子。

該第二載片區(qū)呈豎直延伸的矩形，與該第五管腳位置相對(duì)應(yīng)。

該第三個(gè)載片區(qū)呈L形，其一端靠近該第二載片區(qū)的側(cè)邊、另一端與該第一管腳位置相對(duì)應(yīng)；該第一載片區(qū)的面積是該第二載片區(qū)的面積的二倍以上；該第一載片區(qū)包括本體和延伸部，該本體呈橫向延伸的矩形，該延伸部由該本體的外側(cè)端進(jìn)一步向下彎折延伸而成，并與該第二管腳位置相對(duì)應(yīng)。

該第一高壓電路晶片包括高壓功率開關(guān)管，裝載該第一載片區(qū)的背板與高壓相連；該低壓電路晶片包括與該高壓功率開關(guān)管的控制端相連的開關(guān)控制電路，該開關(guān)控制電路為脈寬調(diào)制電路，脈幅調(diào)制電路或者脈相調(diào)制電路。