[實(shí)用新型]電源芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220287097.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202651114U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭凌波;周勇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市力生美半導(dǎo)體器件有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/16
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/16;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;周惠來(lái)

1.一種電源芯片，其特征在于，包括：相互連接的兩個(gè)載片區(qū)及分別對(duì)應(yīng)承載在該兩個(gè)載片區(qū)上的兩顆晶片，其中一顆晶片為低壓電路晶片，另一顆晶片為第一高壓電路晶片；絕緣本體，包覆在該兩個(gè)載片區(qū)及晶片上；以及七個(gè)導(dǎo)電端子，與該兩個(gè)載片區(qū)及晶片電連接并伸出于該絕緣本體；該七個(gè)導(dǎo)電端子的排布位置與標(biāo)準(zhǔn)的八腳單列直插規(guī)格的七個(gè)管腳位置相對(duì)應(yīng)，其中，該第一載片區(qū)的面積大于該第二載片區(qū)的面積，與該第一管腳位置相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電端子與第一個(gè)載片區(qū)及第一高壓電路晶片相連接，與該第四管腳至第八管腳位置相對(duì)應(yīng)的五個(gè)導(dǎo)電端子與第二個(gè)載片區(qū)及低壓電路晶片相連接。

2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的電源芯片，其特征在于，與該第二管腳相對(duì)應(yīng)的位置不設(shè)導(dǎo)電端子，與該第三管腳相對(duì)應(yīng)的一個(gè)導(dǎo)電端子與第二個(gè)載片區(qū)及低壓電路晶片相連接。

3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的電源芯片，其特征在于，該第二載片區(qū)呈豎直延伸的矩形，與該第五管腳位置相對(duì)應(yīng)。

4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的電源芯片，其特征在于，該第一載片區(qū)的面積是該第二載片區(qū)的面積的三倍以上；該第一載片區(qū)包括本體和延伸部，該本體呈橫向延伸的矩形，該延伸部由該本體的外側(cè)端進(jìn)一步向下彎折延伸而成，并與該第一管腳位置相對(duì)應(yīng)。

5.依據(jù)權(quán)利要求1所述的電源芯片，其特征在于，還包括：第三個(gè)載片區(qū)及對(duì)應(yīng)承載在該第三載片區(qū)上的第二高壓電路晶片；該絕緣本體還包覆在該第三載片區(qū)及第二高壓電路晶片上；其中，與該第二管腳位置相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電端子與該第三載片區(qū)及第二高壓電路晶片相連接，與該第三管腳相對(duì)應(yīng)的位置不設(shè)導(dǎo)電端子。

6.依據(jù)權(quán)利要求5所述的電源芯片，其特征在于，該第二載片區(qū)呈豎直延伸的矩形，與該第五管腳位置相對(duì)應(yīng)。

7.依據(jù)權(quán)利要求5所述的電源芯片，其特征在于，該第三個(gè)載片區(qū)呈L形，其一端靠近該第二載片區(qū)的側(cè)邊、另一端與該第一管腳位置相對(duì)應(yīng)；該第一載片區(qū)的面積是該第二載片區(qū)的面積的二倍以上；該第一載片區(qū)包括本體和延伸部，該本體呈橫向延伸的矩形，該延伸部由該本體的外側(cè)端進(jìn)一步向下彎折延伸而成，并與該第二管腳位置相對(duì)應(yīng)。

8.依據(jù)權(quán)利要求1所述的電源芯片，其特征在于，該第一高壓電路晶片包括高壓功率開(kāi)關(guān)管，裝載該第一載片區(qū)的背板與高壓相連；該低壓電路晶片包括與該高壓功率開(kāi)關(guān)管的控制端相連的開(kāi)關(guān)控制電路，該開(kāi)關(guān)控制電路為脈寬調(diào)制電路，脈幅調(diào)制電路或者脈相調(diào)制電路。

9.依據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的電源芯片，其特征在于，該第一載片區(qū)與第二載片區(qū)不在同一平面上，該第一載片區(qū)所在平面較第二載片區(qū)所在平面更靠近該絕緣本體背面，從而使該第一載片區(qū)能夠外露于該絕緣本體表面。

10.依據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述的電源芯片，其特征在于，該電源芯片中的高壓是指電壓值范圍在100-1000V之間。