[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效

申請號：	201220278644.3	申請日：	2012-06-13
公開（公告）號：	CN202677033U	公開（公告）日：	2013-01-16
發明（設計）人：	徐超;張春芳;魏燕;金熙哲	申請（專利權）人：	京東方科技集團股份有限公司
主分類號：	G02F1/1362	分類號：	G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02
代理公司：	北京銀龍知識產權代理有限公司 11243	代理人：	黃燦;安利霞
地址：	100015 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種陣列顯示裝置
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【說明書】：

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術領域，特別是指一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

ADSDS（簡稱ADS）技術，即高級超維場轉換技術（ADvanced?Super?Dimension?Switch），其核心技術特性為：通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優點。

如圖1所示，為傳統的ADS型的陣列基板的俯視圖，傳統的ADS型陣列基板包括：基板10，所述基板10上設有柵線11，垂直于所述柵線11設有數據線12，所述柵線11和所述數據線12之間限定有像素區域，所述像素區域內設有薄膜晶體管（TFT）和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接，源極與所述數據線連接，漏極與所述像素電極連接；在所述柵線11和所述數據線12所在層之上還設有第一導電金屬層（1^stITO）（氧化銦錫，Indium?Tin?Oxide，簡稱ITO）13，且在所述薄膜晶體管的漏極對應的介電-鈍化層過孔處，形成有鈍化層過孔14。在該種結構的陣列基板中，公共（Common）電極是由第一導電金屬層（1^stITO）13構成，經常由于Common電極與數據線的耦合電容影響而使顯示面板出現綠屏（greenish）、crosstalk（串擾）以及Coupling?Noise（耦合噪聲）等問題。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種陣列基板及顯示裝置，可以降低顯示面板的耦合噪聲，減少綠屏以及串擾現象發生，進而提高液晶顯示面板的穩定性。

為解決上述技術問題，本實用新型的實施例提供一種陣列基板，包括：基板，所述基板上設有柵線和數據線，所述柵線和所述數據線之間限定有像素區域，所述像素區域內設有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數據線連接；在所述柵線和所述數據線上方設有第一導電金屬層；在所述第一導電金屬層的第一位置處設有與所述第一導電金屬層相接觸的新金屬層，所述新金屬層與所述第一導電金屬層共同作為所述陣列基板的公共電極；其中，所述第一位置處是所述柵線和/或所述數據線對應的位置處。

其中，所述第一位置處是所述柵線和/或所述數據線的正上方對應的位置處。

其中，所述新金屬層的金屬線的寬度小于或者等于所述柵線或者所述數據線的寬度。

其中，所述新金屬層的電阻系數小于第一導電金屬層的電阻系數。

其中，在所述數據線所在層與設有所述新金屬層的所述第一導電金屬層之間，設有樹脂層。

其中，在所述薄膜晶體管的漏極對應的介電-鈍化層過孔處，形成有鈍化層過孔。

其中，在設有所述新金屬層的所述第一導電金屬層之上，還設有第二導電金屬層；所述第二導電金屬層作為所述陣列基板的像素電極，通過所述鈍化層過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

其中，所述第一導電金屬層和所述第二導電金屬層均為一透明導電薄膜。

其中，所述透明導電薄膜為氧化銦錫ITO。

本實用新型的實施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。

本實用新型的上述技術方案的有益效果如下：

上述方案中，通過在第一導電金屬層（一般為1^stITO）上的特定位置（柵線和/或數據線對應的位置處）沉積上一層導電的新金屬層，和該第一導電金屬層直接接觸，該新金屬層和該第一導電金屬層共同作為該陣列基板的公共（Common）電極，使耦合噪聲也得到有效降低，減小了綠屏和串擾現象的發生。

附圖說明