[實(shí)用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220278644.3
• 申請(qǐng)日: 2012-06-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202677033U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐超;張春芳;魏燕;金熙哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

1.一種陣列基板，包括：基板，所述基板上設(shè)有柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接；在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線上方設(shè)有第一導(dǎo)電金屬層；其特征在于，

在所述第一導(dǎo)電金屬層的第一位置處設(shè)有與所述第一導(dǎo)電金屬層相接觸的新金屬層，所述新金屬層與所述第一導(dǎo)電金屬層共同作為所述陣列基板的公共電極；其中，所述第一位置處是所述柵線和/或所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的位置處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一位置處是所述柵線和/或所述數(shù)據(jù)線的正上方對(duì)應(yīng)的位置處。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述新金屬層的金屬線的寬度小于或者等于所述柵線或者所述數(shù)據(jù)線的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述新金屬層的電阻系數(shù)小于第一導(dǎo)電金屬層的電阻系數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線所在層與設(shè)有所述新金屬層的所述第一導(dǎo)電金屬層之間，設(shè)有樹(shù)脂層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述薄膜晶體管的漏極對(duì)應(yīng)的介電-鈍化層過(guò)孔處，形成有鈍化層過(guò)孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，在設(shè)有所述新金屬層的所述第一導(dǎo)電金屬層之上，還設(shè)有第二導(dǎo)電金屬層；

所述第二導(dǎo)電金屬層作為所述陣列基板的像素電極，通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電金屬層和所述第二導(dǎo)電金屬層均為一透明導(dǎo)電薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜為氧化銦錫ITO。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。