[實用新型]板式PECVD下料位快速散熱及除塵裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220252441.7 | 申請日: | 2012-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN202558932U | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬祖兵;朱鈺;張志強(qiáng);應(yīng)凱 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江光普太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/34;B08B5/02 |
| 代理公司: | 杭州華鼎知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33217 | 代理人: | 胡根良 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 板式 pecvd 下料位 快速 散熱 除塵 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及板式PECVD。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中,板式PECVD存在如下兩個問題:一是硅片上表面容易附著氮化硅粉塵,造成印刷粗點或斷刪。二是硅片自然散熱較慢,影響產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率。
實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題就是提供一種板式PECVD下料位快速散熱及除塵裝置,避免硅片上表面附著氮化硅粉塵,同時加快硅片散熱。
為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用如下技術(shù)方案:板式PECVD下料位快速散熱及除塵裝置,其特征在于:在下料位的緩沖臺上安裝有風(fēng)扇向鍍膜后的硅片吹風(fēng)來快速散熱及去除硅片上表面氮化硅粉塵。
作為優(yōu)選,所述風(fēng)扇設(shè)有兩組,兩組風(fēng)扇設(shè)置的高度均為20CM。
作為優(yōu)選,所述每組風(fēng)扇的數(shù)量及位置與下料位下料硅片一一對應(yīng)設(shè)置。
作為優(yōu)選,所述兩組風(fēng)扇的吹風(fēng)口與緩沖臺平面呈30的角度面對面設(shè)置。
作為優(yōu)選,所述風(fēng)扇由變頻器控制,風(fēng)扇電源為24V電源,下料位處安裝熱電偶和溫控器,風(fēng)扇電源連接保護(hù)斷路器,保護(hù)斷路器一路出線連接溫控器到熱電偶,保護(hù)斷路器另一路出線連接變頻器。
本實用新型在下料位的緩沖臺上安裝有風(fēng)扇向鍍膜后的硅片吹風(fēng)來快速散熱及去除硅片上表面氮化硅粉塵,其中每組風(fēng)扇的個數(shù)及水平方向與石墨框承載的硅片一一對應(yīng),以實現(xiàn)均勻充分散熱及全面清除粉塵;而與緩沖臺平面呈30左右的角度,則能夠完全清除粉塵;與緩沖臺平面的高度選擇參照風(fēng)扇的風(fēng)力最大程度的散熱及除塵,且不會造成碎片;下料位處安裝熱電偶和溫控器,及時監(jiān)控溫度并自動調(diào)節(jié)風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速,保持溫度穩(wěn)定;選擇耐高溫材質(zhì)的風(fēng)扇減少風(fēng)扇損壞;安裝時加裝斷路器的保護(hù)裝置可以避免故障時損壞設(shè)備。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進(jìn)一步描述:
圖1為本實用新型主視圖;
圖2為本實用新型俯視圖。
具體實施方式
結(jié)合圖1和圖2具體說明本實用新型板式PECVD下料位快速散熱及除塵裝置的實施例,在下料位的緩沖臺1上安裝有風(fēng)扇2向鍍膜后的硅片吹風(fēng)來快速散熱及去除硅片上表面氮化硅粉塵。所述風(fēng)扇設(shè)有兩組,兩組風(fēng)扇設(shè)置的高度均為20CM。所述每組風(fēng)扇的數(shù)量及位置與下料位下料硅片一一對應(yīng)設(shè)置。所述兩組風(fēng)扇的吹風(fēng)口與緩沖臺平面呈30的角度面對面設(shè)置。所述風(fēng)扇由變頻器控制,風(fēng)扇電源為24V電源,下料位處安裝熱電偶和溫控器,風(fēng)扇電源連接保護(hù)斷路器,保護(hù)斷路器一路出線連接溫控器到熱電偶,保護(hù)斷路器另一路出線連接變頻器。
從設(shè)備220V電源上接出24V的電源,連接到保護(hù)斷路器,一路連接溫控器到熱電偶,另一路連接變頻器到風(fēng)扇。
原理:通過熱電偶監(jiān)控下料位的溫度,通過溫控器和變頻器及時控制風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速,調(diào)節(jié)風(fēng)速達(dá)到保持溫度恒定。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





