[實用新型]功率型LED封裝用支架有效
| 申請號: | 201220250919.2 | 申請日: | 2012-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN202695548U | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發明(設計)人: | 管志斌 | 申請(專利權)人: | 晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62;H01L33/64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 led 封裝 支架 | ||
技術領域
本實用新型涉及發光二極管封裝技術,特別是涉及一種功率型LED封裝支架。
背景技術
為了提高LED芯片的散熱效率和發光效率,目前功率型LED芯片普遍采用垂直結構,包括直接在導電導熱襯底(如碳化硅、硅)上制備LED芯片,以及在其他襯底(如藍寶石)上制備外延層后剝離生長襯底并轉移至新的導電導熱襯底(如硅襯底、金屬襯底等)上。垂直結構的功率型LED芯片頂面為第一電極,底面為第二電極。高亮度、高散熱要求和區別于傳統芯片的結構使得功率型LED芯片對封裝有了更高的要求。出于散熱的要求,功率型LED封裝在支架底部設有大面積的金屬熱沉,熱沉上設有支撐芯片的柱狀凸起。芯片的頂面和柱狀凸起的表面分別通過焊線連接到第一電極引腳和第二電極引腳。傳統的功率型LED封裝用支架中采用一體成型的銅柱作為熱沉和支撐芯片的柱狀凸起,芯片發出的熱量可以有效的傳遞到熱沉上,有效地提高了散熱效率,但是支架底部的熱沉與第二電極引腳直接導通,沒有實現熱電分離。
發明內容
本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種功率型LED封裝支架,該支架可以使支架的散熱部分與電路部分高度絕緣,實現熱電分離。
為了解決上述技術問題,本實用新型采用如下技術方案:一種功率型LED封裝用支架,包括殼體,熱沉,所述熱沉包埋于所述殼體下部,熱沉上方設有柱狀凸起,在熱沉的上表面和下表面中至少一面上設置有導熱絕緣的陶瓷層,且所述柱狀凸起位于所述陶瓷層的上方。
優選地:所述熱沉的材料為銅。
優選地:所述柱狀凸起為銅柱。
優選地:所述陶瓷層為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。
本實用新型的有益效果:
與現有技術相比,本實用新型在芯片底面與支架的底面之間設置導熱絕緣層,使得支架底面不再與第二電極引腳導通,實現了熱電分離,提高了支架的可靠性并且便于散熱設計。
附圖說明
圖1是現有技術的結構圖。
圖2是實施例一的結構示意圖。
圖3是實施例二的結構示意圖。
圖4是實施例三的結構示意圖。
圖中標識說明:
支架10,殼體?11,熱沉?12,柱狀凸起?13,LED芯片?14,第一電極引腳?15,第二電極引腳?16;
支架?20,殼體?21,熱沉?22,柱狀凸起?23,LED芯片24,第一電極引腳25,第二電極引腳?26,上導熱電絕緣陶瓷層?27;
支架?30,殼體?31,熱沉?32,柱狀凸起?33,LED芯片?34,第一電極引腳35,第二電極引腳?36,下導熱電絕緣陶瓷層?38;
支架?40,殼體?41,熱沉?42,柱狀凸起?43,LED芯片?44,第一電極引腳45,第二電極引腳?46,上導熱電絕緣陶瓷層?47,下導熱電絕緣陶瓷層?48。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型做進一步的說明。
本實用新型公布了一種功率型LED封裝用支架,包括殼體,熱沉,所述熱沉包埋于所述殼體下部,熱沉上方設有柱狀凸起,在熱沉的上表面和下表面中至少一面上設置有導熱絕緣的陶瓷層,且所述柱狀凸起位于所述陶瓷層的上方。
圖1為現有技術的結構圖,支架10底部設有大面積的金屬熱沉12,熱沉12上方設有支撐芯片的柱狀凸起13,垂直結構的功率型LED芯片14底面焊在柱狀凸起13的頂面上。第一電極引腳15和第二電極引腳16分別位于殼體11兩側,引腳的上端分別埋于殼體內形成接線部。殼體11頂面設有凹槽,柱狀凸起13位于凹槽內。所述凹槽底面設有通孔并暴露接線部,芯片的頂面通過焊接金線連接到第一電極引腳的接線部,柱狀凸起13的頂面焊線連接到第二電極引腳的接線部。采用一體成型的銅柱作為熱沉12和支撐芯片的柱狀凸起13。
本實用新型的實施例一如圖2所示,區別于現有技術,在熱沉22的上表面與柱狀凸起23的下表面之間設有上導熱絕緣陶瓷層27,熱沉22與柱狀凸起23通過上導熱絕緣陶瓷層27隔離絕緣。陶瓷層的良好電絕緣性使得熱沉22不再與第二電極引腳26導通,耐壓可達到數萬伏;同時陶瓷層的高導熱性使得柱狀凸起與熱沉之間的熱量傳遞不受影響。
本實用新型的實施例二如圖3所示,區別于實施例一,采用一體成型的銅柱作為熱沉32和支撐芯片的柱狀凸起33,并在熱沉32的下表面設有下導熱絕緣陶瓷層38。陶瓷層覆蓋熱沉32的下表面,使得熱沉32和基板(未畫出)之間為高度絕緣狀態。
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