[實用新型]一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備

有效

• 申請號: 201220230069.X
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN202688432U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 姜言森;張春艷;張麗麗;杜敏;孫繼峰;張黎明;劉鵬;李玉花;程亮;任現坤;賈河順;徐振華;李剛;王兆光;姚增輝;張同星
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，包括反應腔室和硅片載板，其特征在于，硅片載板為雙層硅片載板位于反應腔室中部，另外還包括反應腔室上方的上進氣孔，下方的下進氣孔，反應腔室兩側的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布在在反應腔室上下內表面的加熱裝置。

2.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于：雙層硅片載板為石墨板，分為上載板和下載板，上載板設有與硅片形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片；下載板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上。

3.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于：上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方。

4.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于：上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方。

5.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備，其特征在于：排氣孔位于反應腔室側面，與硅片載板處于同一水平面，排氣孔外接真空泵。