[實(shí)用新型]一種晶體硅太陽(yáng)能電池雙層鍍膜設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220230069.X
• 申請(qǐng)日: 2012-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202688432U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜言森;張春艷;張麗麗;杜敏;孫繼峰;張黎明;劉鵬;李玉花;程亮;任現(xiàn)坤;賈河順;徐振華;李剛;王兆光;姚增輝;張同星
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/44
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;H01L31/18
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池的鍍膜設(shè)備，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池雙層鍍膜設(shè)備。?

背景技術(shù)

在各種硅太陽(yáng)電池中，晶體硅電池一直占據(jù)著最重要的地位?近年來(lái)，增加設(shè)備產(chǎn)能一直是設(shè)備開(kāi)發(fā)者追求的目標(biāo)。板式鍍膜設(shè)備主要依靠增加反應(yīng)腔室的長(zhǎng)度和寬度來(lái)增加產(chǎn)能，但是增加反應(yīng)腔室的長(zhǎng)度和寬度會(huì)造成更加龐大的設(shè)備，且更大的鍍膜面積導(dǎo)致片間均勻性更加不穩(wěn)定，大大增加設(shè)備制造難度及成本。?

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述問(wèn)題而提出的一種晶體硅太陽(yáng)能電池雙層鍍膜設(shè)備，可以同時(shí)對(duì)上下兩層硅片進(jìn)行減反射膜制備，在不增加反應(yīng)腔室長(zhǎng)度和寬度的情況下使得產(chǎn)能翻倍，適用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

本實(shí)用新型的一種晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜設(shè)備技術(shù)方案為，包括反應(yīng)腔室和硅片載板，硅片載板為雙層硅片載板位于反應(yīng)腔室中部，另外還包括反應(yīng)腔室上方的上進(jìn)氣孔，下方的下進(jìn)氣孔，反應(yīng)腔室兩側(cè)的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布在在反應(yīng)腔室上下內(nèi)表面的加熱裝置。

雙層硅片載板為石墨板，分為上載板和下載板，上載板設(shè)有與硅片形狀一致的均勻鏤空，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對(duì)硅片上表面進(jìn)行減反射膜制備；下載板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設(shè)置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對(duì)硅片下表面進(jìn)行減反射膜制備。

上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方，上下等離子源均可單獨(dú)控制，可根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)。

上進(jìn)氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進(jìn)氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上下進(jìn)氣孔可單獨(dú)控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。

排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與硅片載板處于同一水平面，硅片載板上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應(yīng)腔室一定的真空度。

該晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片上表面鍍膜的反應(yīng)流程為：鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過(guò)上進(jìn)氣孔進(jìn)入反應(yīng)腔室，上等離子源對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在雙層硅片載板上載板的硅片上表面，真空泵將反應(yīng)廢氣通過(guò)排氣孔抽走，并保證反應(yīng)腔室的真空度。

該晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜設(shè)備對(duì)硅片下表面鍍膜的反應(yīng)流程為：鍍膜工藝進(jìn)行時(shí)，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應(yīng)氣體通過(guò)下進(jìn)氣孔進(jìn)入反應(yīng)腔室，下等離子源對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行解離，解離狀態(tài)下氣體將發(fā)生反應(yīng)，鍍制在雙層硅片載板下載板的硅片下表面，真空泵將反應(yīng)廢氣通過(guò)排氣孔抽走，并保證反應(yīng)腔室的真空度。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型的一種晶體硅太陽(yáng)能電池鍍膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和硅片載板，硅片載板為雙層硅片載板，另外還包括上進(jìn)氣孔，下進(jìn)氣孔，排氣孔，上等離子源及下等離子源，真空泵和加熱裝置。

雙層硅片載板上、下載板均設(shè)有與硅片形狀一致的均勻鏤空，上載板鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對(duì)硅片上表面進(jìn)行減反射膜制備；下載板鏤空大小略大于硅片，在下載板下邊緣設(shè)置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對(duì)硅片下表面進(jìn)行減反射膜制備。

上進(jìn)氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進(jìn)氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上、下進(jìn)氣孔，上、下等離子源均可單獨(dú)控制，根據(jù)工藝情況分別調(diào)整其工藝參數(shù)，通入不同的氣體及氣體流量。

排氣孔位于反應(yīng)腔室側(cè)面，與硅片載板處于同一水平面，硅片載板上方和下方反應(yīng)產(chǎn)生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應(yīng)腔室一定的真空度。

使用該設(shè)備可以同時(shí)對(duì)上下兩層硅片進(jìn)行減反射膜制備，在不增加反應(yīng)腔室長(zhǎng)度和寬度的情況下使得產(chǎn)能翻倍，每層石墨板可放置硅片五排九列，雙層硅片鍍膜一次可以實(shí)現(xiàn)5*9*2（五排九列兩層）共90片硅片的鍍膜，在相同的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)能翻倍，適用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明：

圖1所示為本實(shí)用新型的垂直剖面圖；

圖2所示為上載板設(shè)計(jì)；

圖3所示為下載板設(shè)計(jì)。

圖中，1.上進(jìn)氣孔，2.下進(jìn)氣孔，3.排氣孔，4.加熱裝置，5.上等離子源，6.?下等離子源，7.?上載板，8.下載板，?9.硅片，10.?反應(yīng)腔室，11.?掛鉤，12.真空泵。

具體實(shí)施方式：