[實用新型]磁控濺射靶材

有效

• 申請號: 201220226070.5
• 申請日: 2012-05-18
• 公開（公告）號: CN202576553U
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;鐘偉華
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本實用新型屬于半導體制造領域，特別是涉及一種磁控濺射靶材。

背景技術

磁控濺射技術廣泛應用于材料表面裝飾、材料表面改性及光學器件制作等多種領域。磁控濺射的原理為：在真空狀態下，當磁控濺射靶材被施加一個負電位、被鍍膜的工件加正電位時，在磁控濺射靶材所在的真空室內形成電場，然后向真空室內充入工藝載氣（如Ar），在一定壓力和溫度下，正電位與負電位之間會產生放電現象，電子沿環形軌道運動，撞擊工藝載氣（Ar）分子，產生等離子體放電，同時，磁控濺射靶材上的磁鐵產生磁場，磁場施加于電場之中，在電場和磁場作用下工藝載氣（Ar）產生的離子撞擊磁控濺射靶材表面，使得作為陰極的磁控濺射靶材的原子濺射出去，在被鍍膜的工件表面上就形成了一層薄膜。

圖1是現有一種磁控濺射靶材的結構示意圖，如圖1所示，現有磁控濺射靶材1一般為圓形靶材，且磁控濺射靶材1的濺射面11為平滑的平面結構。平面磁控濺射靶材具有加工簡單、安裝方便等優點，且適于批量生產鍍膜產品，因此得到了廣泛的應用。但是，當這種平面磁控濺射靶材被多次使用之后，其濺射面不再是平整的平面結構，相反，還呈現出凹凸不平的形貌。更為嚴重的是，在濺射后期，磁控濺射靶材的濺射面起伏會比較大，導致磁控濺射靶材的某些區域厚度很薄，當那些厚度很薄的區域繼續被高能粒子撞擊時，將有可能導致磁控濺射靶材被擊穿；另外，如果磁控濺射靶材的濺射面起伏比較大的話，會造成濺射參數如薄膜的均勻度、薄膜的沉積速率及薄膜上的顆粒數量不達標。為此，在鍍膜過程中需及時更換磁控濺射靶材，致使磁控濺射靶材的壽命較短，且造成了磁控濺射靶材的浪費，增加了成本。

為了增加磁控濺射靶材的壽命，現有技術的一般做法是：圖2是現有另一種磁控濺射靶材的結構示意圖，如圖2所示，繼續保持磁控濺射靶材1濺射面11的平面結構，增加磁控濺射靶材1的厚度（圖中用陰影線標識的部分為磁控濺射靶材的增厚部分）。雖然磁控濺射靶材厚度增加之后，磁控濺射靶材的壽命有所提高，但其壽命最多只延長50%，使延長磁控濺射靶材的壽命遇到瓶頸。

實用新型內容

本實用新型要解決的問題是提供一種壽命長的磁控濺射靶材。

為解決上述問題，本實用新型提供了一種磁控濺射靶材，所述磁控濺射靶材具有濺射面，所述濺射面具有磁場強度設計輪廓，且所述濺射面向磁控濺射靶材的中心凹陷。

可選地，所述磁場強度設計輪廓為波浪形。

可選地，所述磁控濺射靶材為圓形靶材。

可選地，所述磁控濺射靶材的濺射面關于所述磁控濺射靶材的中心對稱。

與現有技術相比，本實用新型具有以下優點：

本實用新型中的磁控濺射靶材具有濺射面，與現有平面結構型濺射面不同的是，所述濺射面具有磁場強度設計輪廓，即磁控濺射靶材在不同位置的厚度是按照磁場的強弱來設計的，磁控濺射靶材在磁場強的位置的厚度較大、在磁場弱的位置的厚度較小，使得濺射后期磁控濺射靶材的濺射面更加平整，從而使得濺射參數保持穩定，增加了磁控濺射靶材的壽命；進一步地，磁控濺射靶材的濺射面向磁控濺射靶材的中心凹陷，以使濺射時靶材原子能夠充分向中心聚集，減少了靶材原子向被鍍膜工件外的區域濺射，提高了磁控濺射靶材的使用效率，從而進一步增加了磁控濺射靶材的壽命。

附圖說明

圖1是現有一種磁控濺射靶材的結構示意圖；

圖2是現有另一種磁控濺射靶材的結構示意圖；

圖3是本實用新型的一個實施例中磁控濺射靶材的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，通過具體實施例，對本實用新型的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型的可實施方式的一部分，而不是其全部。根據這些實施例，本領域的普通技術人員在無需創造性勞動的前提下可獲得的所有其它實施方式，都屬于本實用新型的保護范圍。