[實(shí)用新型]掃描組件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220223586.4
• 申請(qǐng)日: 2012-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202631847U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳明發(fā);李柏勛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 探微科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02B26/10
• 分類(lèi)號(hào): G02B26/10
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 郭蔚

【技術(shù)領(lǐng)域】

本實(shí)用新型是有關(guān)于一種微結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種應(yīng)用于微機(jī)電裝置的掃描組件結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】

微機(jī)電鏡面(MEMS?mirror)結(jié)構(gòu)在光學(xué)上的應(yīng)用，以鏡面在預(yù)定的驅(qū)動(dòng)條件下以特殊頻率振動(dòng)，以達(dá)成大角度光學(xué)掃描的目的。目前已有很多不同型態(tài)微機(jī)電致動(dòng)器被提出。當(dāng)鏡面結(jié)構(gòu)在作動(dòng)時(shí)，若鏡面結(jié)構(gòu)強(qiáng)度不足，將會(huì)造成鏡面形狀的改變。鏡面形狀的改變會(huì)造成振動(dòng)頻率與反射光點(diǎn)大小的改變。

為了增加鏡面結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，現(xiàn)有解決的方法是增加鏡面結(jié)構(gòu)的厚度。然而，厚度增加會(huì)造成掃描組件的重量增加，也會(huì)降低鏡面結(jié)構(gòu)的振動(dòng)頻率。此外，掃描組件的重量越重，則需要更大的能量才能運(yùn)作，因此更加耗能。

【實(shí)用新型內(nèi)容】

本實(shí)用新型有關(guān)于一種掃描組件結(jié)構(gòu)，以解決強(qiáng)度不足及變形的問(wèn)題，并可在輕量化變形補(bǔ)強(qiáng)的設(shè)計(jì)下，維持良好的運(yùn)作。

根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提出一種掃描組件結(jié)構(gòu)，包括一基板、一鏡面組件層以及一孔狀補(bǔ)強(qiáng)層?；寰哂邢鄬?duì)的一第一側(cè)以及一第二側(cè)。鏡面組件層配置于第一側(cè)。孔狀補(bǔ)強(qiáng)層相對(duì)于鏡面組件層配置于第二側(cè)。

為了對(duì)本實(shí)用新型的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

【附圖說(shuō)明】

圖1繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描組件結(jié)構(gòu)的正面示意圖。

圖2繪示圖1的掃描組件結(jié)構(gòu)的背面示意圖。

【主要組件符號(hào)說(shuō)明】

100：掃描組件結(jié)構(gòu)

110：基板

110a、110b：相對(duì)兩側(cè)

120：鏡面組件層

121：外框

122：內(nèi)框

123：第二扭轉(zhuǎn)件

124：第一扭轉(zhuǎn)件

126：掃描鏡

130：孔狀補(bǔ)強(qiáng)層

132：孔洞

【具體實(shí)施方式】

本實(shí)施例的掃描組件結(jié)構(gòu)，可為單軸微鏡面結(jié)構(gòu)或雙軸微鏡面結(jié)構(gòu)，其利用重復(fù)排列的多孔洞結(jié)構(gòu)進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)，不但可達(dá)到局部強(qiáng)化的效果，以避免掃描組件在作動(dòng)的過(guò)程中發(fā)生形變，更可減少掃描組件的重量，以達(dá)到輕量化的要求。

以下提出各種實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，實(shí)施例僅用以作為范例說(shuō)明，并非用以限縮本實(shí)用新型欲保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參照?qǐng)D1及2，其中圖1繪示依照本實(shí)用新型一實(shí)施例的掃描組件結(jié)構(gòu)的正面示意圖，而圖2繪示圖1的掃描組件結(jié)構(gòu)的背面示意圖。掃描組件結(jié)構(gòu)100包括一基板110、一鏡面組件層120以及一孔狀補(bǔ)強(qiáng)層130。鏡面組件層120以及孔狀補(bǔ)強(qiáng)層130分別位于基板110的相對(duì)兩側(cè)110a及110b?；?10例如為SOI(silicon-on-insulator)基板，其通過(guò)晶圓鍵合技術(shù)(wafer?bonding?technology)在硅晶圓之間形成一層薄薄的氧化層(例如是二氧化硅SiO₂)，并經(jīng)過(guò)熱退火加強(qiáng)兩晶圓之間的鍵結(jié)。氧化層的上下兩面分別為組件層(device?layer)以及操作層(handling?layer)。在圖2中，孔狀補(bǔ)強(qiáng)層130蝕刻操作層而成的多孔洞結(jié)構(gòu)，其具有多個(gè)重復(fù)排列的孔洞132，其形狀例如為圓形、橢圓形或多邊形。

鏡面組件層120例如蝕刻組件層而成，再進(jìn)行拋光磨平以形成平滑無(wú)雜質(zhì)的表面。在圖1中，鏡面組件層120具有一內(nèi)框122、一第一扭轉(zhuǎn)件124以及一掃描鏡126。第一扭轉(zhuǎn)件124位于X軸方向上。第一扭轉(zhuǎn)件124連接于內(nèi)框122與掃描鏡126之間，掃描鏡126以第一扭轉(zhuǎn)件124為軸產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)，使掃描鏡126于一預(yù)定角度內(nèi)進(jìn)行往復(fù)式振動(dòng)。因此，掃描鏡126可在X軸上振動(dòng)。在雙軸微鏡面結(jié)構(gòu)中，鏡面組件層120還可具有一外框121以及一第二扭轉(zhuǎn)件123。第二扭轉(zhuǎn)件123位于Y軸方向上，大致上垂直于X軸方向。第二扭轉(zhuǎn)件123連接于內(nèi)框122與外框121之間。內(nèi)框122以第二扭轉(zhuǎn)件123為軸產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)。因此，掃描鏡126不僅可在X軸上振動(dòng)，亦可在Y軸上振動(dòng)。

在圖2中，孔狀補(bǔ)強(qiáng)層130對(duì)應(yīng)配置于鏡面組件層120的掃描鏡126以及內(nèi)框122的下方，以使掃描鏡126以及內(nèi)框12具有足夠的強(qiáng)度，以避免作動(dòng)過(guò)程時(shí)發(fā)生形變。此外，孔狀補(bǔ)強(qiáng)層130未形成在第一扭轉(zhuǎn)件124上，可達(dá)到局部強(qiáng)化的效果。也就是說(shuō)，孔狀補(bǔ)強(qiáng)層130與第一扭轉(zhuǎn)件124不重疊，故可避免因第一扭轉(zhuǎn)件124的重量增加而必須提高操作電流。同樣，孔狀補(bǔ)強(qiáng)層130與第二扭轉(zhuǎn)件123不重疊，故可避免因第二扭轉(zhuǎn)件123的重量增加而必須提高操作電流。