[實用新型]大功率器件的加工系統

有效

• 申請號: 201220210780.9
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN202695396U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 李建球;楊曉智
• 申請（專利權）人: 深圳市鵬微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 黃韌敏

技術領域

本實用新型涉及電子元器件加工領域，尤其涉及一種大功率器件的加工系統。

背景技術

在傳統的大功率器件中，例如晶閘管，包括單向晶閘管、雙向晶閘管、高壓大功率三極管、IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)等器件一直沿用傳統工藝加工。參見圖1，這些大功率器件加工過程如圖1中的（1）~（10）所示，其主要加工過程包括：

（1）選取單晶片10，如N-單晶材料片；（2）對單晶片10進行雙面拋光；（3）對單晶片10氧化光刻，其正面和背面形成二氧化硅層11，12；（4）對單晶片10進行雙面預沉積硼；（5）對單晶片10進行對通隔離擴散硼；（6）去二氧化硅層11，12；（7）單晶片10雙面擴硼；（8）單晶片10雙面光刻極陰區；（9）單晶片10光刻隔離槽；（10）單晶片10刻引線孔。

1、由于大電流功率器件面積非常大，甚至達到一整塊硅片制作一個器件，不但對材料的均勻性和一致性提出嚴格的要求，同時要求在高溫擴散過程中不能產生變形。硅片經過拋光，尤其是單面拋光后，在高溫下極易發生變形。

2、在高溫擴散過程中，如果大功率器件的單晶片10進入氧，形成直徑約1mm相距大約1mm的宏觀沉淀物，在硅內形成軟點，容易使擊穿電壓形成軟擊穿。

3、用噴砂或研磨可以形成單晶片10硅表面機械損傷，形成幾乎是無限的空位源，在高溫加工過程中，這些空位起著呼吸二氧化硅團和深摻雜好的作用。

4、鋁擴散在拋光面上，只能利用閉管擴散才能夠實現。消耗大量石英管，擴散成本高?；蛘卟捎迷趻伖饷嫔吓饠U散工藝，擴散時間長，溫度高。

因此，現有的大功率器件芯片工藝，生產周期長，成本高，同時均勻性受到限制，在現有的市場競爭中不具有優勢。

綜上可知，現有大功率器件加工技術在實際使用上，顯然存在不便與缺陷，所以有必要加以改進。

實用新型內容

針對上述的缺陷，本實用新型的目的在于提供一種大功率器件的加工系統，使大功率器件生產周期縮短、加工成本降低。

為了實現上述目的，本實用新型提供一種大功率器件的加工系統，包括：

中央控制器，

連接于所述中央控制器，將所述大功率器件的加工材料備料為細磨晶片的備料單元。

根據所述的加工系統，所述細磨晶片為雙面細磨單晶片。

根據所述的加工系統，所述加工系統還包括：

連接于所述中央控制器，將所述大功率器件的加工材料進行雙面淀積氧化硅光刻的光刻單元。

根據所述的加工系統，所述加工系統還包括：

連接于所述中央控制器，將所述光刻單元進行雙面淀積氮化硅光刻后的加工材料進行硼鋁對通隔離擴散的擴散單元。

根據所述的加工系統，所述加工系統還包括：

連接于所述中央控制器，將所述擴散單元進行硼鋁對通隔離擴散后的加工材料進行氧化層和氮化硅去除的去除單元。

根據所述的加工系統，所述加工系統還包括：

連接于所述中央控制器，對所述去除單元進行氧化層和氮化硅去除后的加工材料進行雙面擴硼的擴硼單元。

根據所述的加工系統，所述加工系統還包括：

連接于所述中央控制器，對所述擴硼單元進行雙面擴硼后的加工材料進行雙面擴磷的擴磷單元。

根據所述的加工系統，所述加工系統還包括：

連接于所述中央控制器，對所述擴磷單元進行雙面擴磷后的加工材料進行正面刻蝕隔離槽，并且鈍化所述隔離槽的刻蝕鈍化單元。

根據所述的加工系統，所述加工系統還包括：

連接于所述中央控制器，對所述刻蝕鈍化單元進行正面刻蝕隔離槽，并且鈍化所述隔離槽后的加工材料進行刻蝕引線孔，并將所述加工材料正背面金屬化的刻蝕金屬化單元。

根據所述的加工系統，所述大功率器件為大功率三極管、單、雙向晶閘管或者絕緣柵雙極型晶體管。