[實用新型]大功率器件的加工系統有效
| 申請號： | 201220210780.9 | 申請日： | 2012-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN202695396U | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發明（設計）人： | 李建球;楊曉智 | 申請（專利權）人： | 深圳市鵬微科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 黃韌敏 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大功率 器件 加工 系統 | ||
1.一種大功率器件的加工系統，其特征在于，包括：
中央控制器；
連接于所述中央控制器，將所述大功率器件的加工材料備料為細磨晶片的備料單元。
2.根據權利要求1所述的加工系統，其特征在于，所述細磨晶片為雙面細磨單晶片。
3.根據權利要求1或2所述的加工系統，其特征在于，所述加工系統還包括：
連接于所述中央控制器，將所述大功率器件的加工材料進行雙面淀積氧化硅光刻的光刻單元。
4.根據權利要求3所述的加工系統，其特征在于，所述加工系統還包括：
連接于所述中央控制器，將所述光刻單元進行雙面淀積氮化硅光刻后的加工材料進行硼鋁對通隔離擴散的擴散單元。
5.根據權利要求4所述的加工系統，其特征在于，所述加工系統還包括：
連接于所述中央控制器，將所述擴散單元進行硼鋁對通隔離擴散后的加工材料進行氧化層和氮化硅去除的去除單元。
6.根據權利要求5所述的加工系統，其特征在于，所述加工系統還包括：
連接于所述中央控制器，對所述去除單元進行氧化層和氮化硅去除后的加工材料進行雙面擴硼的擴硼單元。
7.根據權利要求6所述的加工系統，其特征在于，所述加工系統還包括：連接于所述中央控制器，對所述擴硼單元進行雙面擴硼后的加工材料進行雙面擴磷的擴磷單元。
8.根據權利要求7所述的加工系統，其特征在于，所述加工系統還包括：
連接于所述中央控制器，對所述擴磷單元進行雙面擴磷后的加工材料進行正面刻蝕隔離槽，并且鈍化所述隔離槽的刻蝕鈍化單元。
9.根據權利要求8所述的加工系統，其特征在于，所述加工系統還包括：
連接于所述中央控制器，對所述刻蝕鈍化單元進行正面刻蝕隔離槽，并且鈍化所述隔離槽后的加工材料進行刻蝕引線孔，并將所述加工材料正背面金屬化的刻蝕金屬化單元。
10.根據權利要求1所述的加工系統，其特征在于，所述大功率器件為大功率三極管、單、雙向晶閘管或者絕緣柵雙極型晶體管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
