[實用新型]高頻低相噪晶體振蕩器

有效

• 申請號: 201220202513.7
• 申請日: 2012-05-07
• 公開（公告）號: CN202652145U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 楊智鋒;彭軍;佘國源
• 申請（專利權）人: 廣州市三才通訊科技有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 李新林

技術領域

本實用新型涉及晶體振蕩器技術領域，更具體地涉及一種適用于廣播電臺基站的高頻低相噪晶體振蕩器。

背景技術

當前同類型晶振的實現方式有數字倍頻技術和VCO鎖相技術，這兩種技術最大的缺點是相位噪聲高，另外，本類型晶振一般用于廣播電臺的倍頻，因此要求輸出的二次諧波幅度要足夠的高，而上述兩種技術的直接輸出幅度一般不能滿足要求，需要增加模擬放大環節，而這又會增加數模干擾，進一步提高了相位噪聲。鑒于此，有必要提供一種相位噪聲低的高頻晶體振蕩器以適用于廣播電臺基站。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種適用于廣播電臺基站的高頻低相噪晶體振蕩器。

為了實現上述目的，本實用新型所采用的技術方案為：提供一種高頻低相噪晶體振蕩器，其包括連接至外部供電電源的穩壓電路、可產生初始頻率信號的起振電路、可對所述頻率信號進行倍頻和增幅的模擬倍頻電路以及可校正波形放大輸出幅度的整形放大電路，所述穩壓電路包括第一級穩壓源、第二級穩壓源及第三級穩壓源，所述第一級、第二級和第三級穩壓源分別為所述起振電路、模擬倍頻電路及整形放大電路供電，所述起振電路、模擬倍頻電路和整形放大電路依次相連。

其進一步技術方案為：所述起振電路包括晶體三極管、晶體及諧波抑制網絡，所述第一級穩壓源連接至所述晶體三極管，所述晶體三極管與所述晶體和諧波抑制網絡相連，由所述晶體產生的初始頻率信號從晶體三極管的集電極輸出。

其進一步技術方案為：所述諧波抑制網絡由一電容和一電感并聯組成。

其進一步技術方案為：所述模擬倍頻電路包括依次相連的第一級模擬二倍頻電路、第一級放大電路、第二級模擬二倍頻電路及第二級放大電路。

其進一步技術方案為：所述第一級模擬二倍頻電路和第二級模擬二倍頻電路均包括雙極型晶體管放大電路和選頻網絡，所述第一級模擬二倍頻電路和第二級模擬二倍頻電路均由所述第二級穩壓源供電且輸出至下一級放大電路。

其進一步技術方案為：所述第一級放大電路和第二級放大電路均包括雙極型晶體管放大電路和選頻網絡，所述第一級放大電路和第二級放大電路均由所述第二級穩壓源供電且輸出至下一級放大電路。

其進一步技術方案為：所述整形放大電路包括雙極型晶體管放大電路和整形匹配網絡，所述整形放大電路由所述第三級穩壓源供電且輸出至頻率輸出端。

其進一步技術方案為：所述整形匹配網絡是由兩電感和一電容組成的T型網絡。

其進一步技術方案為：所述高頻低相噪晶體振蕩器還包括可對晶體進行溫度控制以恒定起振電路中晶體溫度的溫控電路，所述溫控電路由外部供電電源直接供電。

其進一步技術方案為：所述溫控電路包括依次相連的加熱電路、恒溫槽、溫敏反饋電路及加熱功率控制電路，所述加熱功率控制電路還連接至所述加熱電路，所述晶體放置于所述恒溫槽內。

與現有技術相比，本實用新型提供的高頻低相噪晶體振蕩器采用模擬倍頻與模擬放大，不加入數字電路，從而消除了數模干擾，降低了相位噪聲，而各個電路分別采用了獨立電源供電，進一步降低晶振的相位噪聲，此外，增加了整形放大電路，大幅度提高了二次諧波的輸出幅度以滿足廣播電臺基站的要求。因此，本實用新型所提供的晶體振蕩器在一定程度上解決了高頻晶振穩定度差、相位噪聲高、輸出幅度低的問題，大大提高了高頻晶振的性能，而且電路結構簡單，節約了成本。

通過以下的描述并結合附圖，本實用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實用新型的實施例。

附圖說明

圖1為本實用新型高頻低相噪晶體振蕩器一實施例的電路結構框圖。

圖2為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器的進一步電路結構框圖。

圖3為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中起振電路的結構框圖。

圖4為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中起振電路的電路圖。

圖5為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中模擬二倍頻電路的結構框圖。

圖6為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中放大電路的結構框圖。

圖7為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中模擬倍頻電路的電路圖。

圖8為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中整形放大電路的結構框圖。

圖9為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中整形放大電路的電路圖。

圖10為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中溫控電路的結構框圖。

圖11為圖1所示高頻低相噪晶體振蕩器中溫控電路的電路圖。

圖中各附圖標記說明如下：