[實用新型]高頻低相噪晶體振蕩器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220202513.7 | 申請日： | 2012-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN202652145U | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊智鋒;彭軍;佘國源 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州市三才通訊科技有限公司 |
| 主分類號： | H03B5/04 | 分類號： | H03B5/04 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務(wù)所 44242 | 代理人： | 李新林 |
| 地址： | 510000 廣東省廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高頻 低相噪 晶體振蕩器 | ||
1.一種高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：包括連接至外部供電電源的穩(wěn)壓電路、可產(chǎn)生初始頻率信號的起振電路、可對所述頻率信號進行倍頻和增幅的模擬倍頻電路以及可校正波形放大輸出幅度的整形放大電路，所述穩(wěn)壓電路包括第一級穩(wěn)壓源、第二級穩(wěn)壓源及第三級穩(wěn)壓源，所述第一級、第二級和第三級穩(wěn)壓源分別為所述起振電路、模擬倍頻電路及整形放大波形供電，所述起振電路、模擬倍頻電路和整形放大電路依次相連。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述起振電路包括晶體三極管、晶體及諧波抑制網(wǎng)絡(luò)，所述第一級穩(wěn)壓源連接至所述晶體三極管，所述晶體三極管與所述晶體和諧波抑制網(wǎng)絡(luò)相連，由所述晶體產(chǎn)生的初始頻率信號從晶體三極管的集電極輸出。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述諧波抑制網(wǎng)絡(luò)由一電容和一電感并聯(lián)組成。
4.如權(quán)利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述模擬倍頻電路包括依次相連的第一級模擬二倍頻電路、第一級放大電路、第二級模擬二倍頻電路及第二級放大電路。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述第一級模擬二倍頻電路和第二級模擬二倍頻電路均包括雙極型晶體管放大電路和選頻網(wǎng)絡(luò)，所述第一級模擬二倍頻電路和第二級模擬二倍頻電路均由所述第二級穩(wěn)壓源供電且輸出至下一級放大電路。
6.如權(quán)利要求4所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述第一級放大電路和第二級放大電路均包括雙極型晶體管放大電路和選頻網(wǎng)絡(luò)，所述第一級放大電路和第二級放大電路均由所述第二級穩(wěn)壓源供電且輸出至下一級放大電路。
7.如權(quán)利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述整形放大電路包括雙極型晶體管放大電路和整形匹配網(wǎng)絡(luò)，所述整形放大電路由所述第三級穩(wěn)壓源供電且輸出至頻率輸出端。
8.如權(quán)利要求7所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述整形匹配網(wǎng)絡(luò)是由兩電感和一電容組成的T型網(wǎng)絡(luò)。
9.如權(quán)利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：還包括可對晶體進行溫度控制以恒定起振電路中晶體溫度的溫控電路，所述溫控電路由外部供電電源直接供電。
10.如權(quán)利要求9所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述溫控電路包括依次相連的加熱電路、恒溫槽、溫敏反饋電路及加熱功率控制電路，所述加熱功率控制電路還連接至所述加熱電路，所述晶體放置于所述恒溫槽內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣州市三才通訊科技有限公司，未經(jīng)廣州市三才通訊科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220202513.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
