[實用新型]高頻低相噪晶體振蕩器

有效

• 申請號: 201220202513.7
• 申請日: 2012-05-07
• 公開（公告）號: CN202652145U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 楊智鋒;彭軍;佘國源
• 申請（專利權）人: 廣州市三才通訊科技有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 李新林

1.一種高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：包括連接至外部供電電源的穩壓電路、可產生初始頻率信號的起振電路、可對所述頻率信號進行倍頻和增幅的模擬倍頻電路以及可校正波形放大輸出幅度的整形放大電路，所述穩壓電路包括第一級穩壓源、第二級穩壓源及第三級穩壓源，所述第一級、第二級和第三級穩壓源分別為所述起振電路、模擬倍頻電路及整形放大波形供電，所述起振電路、模擬倍頻電路和整形放大電路依次相連。

2.如權利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述起振電路包括晶體三極管、晶體及諧波抑制網絡，所述第一級穩壓源連接至所述晶體三極管，所述晶體三極管與所述晶體和諧波抑制網絡相連，由所述晶體產生的初始頻率信號從晶體三極管的集電極輸出。

3.如權利要求2所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述諧波抑制網絡由一電容和一電感并聯組成。

4.如權利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述模擬倍頻電路包括依次相連的第一級模擬二倍頻電路、第一級放大電路、第二級模擬二倍頻電路及第二級放大電路。

5.如權利要求4所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述第一級模擬二倍頻電路和第二級模擬二倍頻電路均包括雙極型晶體管放大電路和選頻網絡，所述第一級模擬二倍頻電路和第二級模擬二倍頻電路均由所述第二級穩壓源供電且輸出至下一級放大電路。

6.如權利要求4所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述第一級放大電路和第二級放大電路均包括雙極型晶體管放大電路和選頻網絡，所述第一級放大電路和第二級放大電路均由所述第二級穩壓源供電且輸出至下一級放大電路。

7.如權利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述整形放大電路包括雙極型晶體管放大電路和整形匹配網絡，所述整形放大電路由所述第三級穩壓源供電且輸出至頻率輸出端。

8.如權利要求7所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述整形匹配網絡是由兩電感和一電容組成的T型網絡。

9.如權利要求1所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：還包括可對晶體進行溫度控制以恒定起振電路中晶體溫度的溫控電路，所述溫控電路由外部供電電源直接供電。

10.如權利要求9所述的高頻低相噪晶體振蕩器，其特征在于：所述溫控電路包括依次相連的加熱電路、恒溫槽、溫敏反饋電路及加熱功率控制電路，所述加熱功率控制電路還連接至所述加熱電路，所述晶體放置于所述恒溫槽內。