[實用新型]高溫CVD生長室用高度微調節(jié)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220201813.3
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN202610320U
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設計）人: 孫國勝;董林;王雷;趙萬順;劉興昉;閆果果;鄭柳
• 申請（專利權）人: 東莞市天域半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 彭長久

技術領域

本實用新型涉及高溫CVD設備制造領域技術，尤其是指一種高溫CVD生長室用高度微調節(jié)裝置。

背景技術

第三代半導體材料碳化硅（SiC）因其具有的寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高電子漂移速率等優(yōu)點，在高溫、大功率器件領域有著巨大的應用潛力與市場。而高質量的碳化硅外延材料是制備碳化硅功率器件的前提條件。目前制備碳化硅外延材料主要方法是高溫化學氣相沉積(CVD)技術。所謂化學氣相沉積技術，就是利用載氣將反應氣體如硅烷、丙烷等運輸?shù)酵庋由L室內，使它們在熱襯底上發(fā)生化學反應并沉積得到碳化硅（SiC）外延材料。

由于該技術要求較高的反應生長溫度（1500—1600℃），通常需要采用射頻加熱的方法對生長室進行加溫。而在生長過程中，生長室內部的溫度的高低和溫場的均勻性等因素對外延效果的好壞有著極大的影響，這些因素又與加熱線圈的位置和高度有著密切的關系，加熱線圈所在高度的微小變化即會對生長室內部的溫場產(chǎn)生顯著的影響。

因此，如何設計一種能夠支撐加熱線圈的高溫CVD生長室用高度微調節(jié)裝置，使其能夠精確控制加熱線圈的高度變化并使整個加熱線圈的高度保持一致，已成為一個極具研究價值的課題。?

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型針對現(xiàn)有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種高溫CVD生長室用高度微調節(jié)裝置，其結構簡單、操作方便、能夠實現(xiàn)精確細微的高度調節(jié)。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下之技術方案：

一種高溫CVD生長室用高度微調節(jié)裝置，包括有耐高溫支撐柱、生長室底盤、高度調節(jié)盤、高度調節(jié)螺釘及鎖固螺釘，其中，該耐高溫支撐柱相對高度調節(jié)盤固定式設置于高度調節(jié)盤上，該高度調節(jié)盤位于生長室底盤上方；

該高度調節(jié)盤上開設有螺紋通孔、無螺紋通孔，并于生長室底盤上對應前述無螺紋通孔位置開設有螺紋孔；該高度調節(jié)螺釘螺合于高度調節(jié)盤的螺紋通孔內，并該高度調節(jié)螺釘?shù)牡锥说钟谏L室底盤上；該鎖固螺釘穿過高度調節(jié)盤的無螺紋通孔并螺合于生長室底盤的螺紋孔內。

作為一種優(yōu)選方案，所述高度調節(jié)盤上的無螺紋通孔為兩個，相應地，前述生長室底盤上的螺紋孔亦為兩個，前述鎖固螺釘亦為兩個；該鎖固螺釘分別穿過相應的無螺紋通孔并螺合于相應的螺紋孔內。

作為一種優(yōu)選方案，所述高度調節(jié)盤上的螺紋通孔為兩個，前述高度調節(jié)螺釘亦為兩個，該高度調節(jié)螺釘分別螺合于相應的螺紋通孔內。

作為一種優(yōu)選方案，所述高度調節(jié)盤上的螺紋通孔及無螺紋通孔所在位置呈四邊形結構布置，并兩螺紋通孔位于四邊形的同一對角線上，兩無螺紋通孔位于四邊形的另一對角線上。

作為一種優(yōu)選方案，所述高度調節(jié)盤為方形結構，其上的螺紋通孔及無螺紋通孔所在位置亦呈方形結構布置。

作為一種優(yōu)選方案，所述高度調節(jié)螺釘系無帽螺釘。

本實用新型采用上述技術方案后，其有益效果在于：

一、通過生長室底盤、高度調節(jié)盤、高度調節(jié)螺釘及鎖固螺釘?shù)呐浜希詫δ透邷刂沃木_細微的高度調節(jié)，從而，實現(xiàn)了對耐高溫支撐柱所支撐的加熱線圈進行精確細微的高度調節(jié)，達到加熱線圈高效率、均勻加熱生長室的目的；該種高溫CVD生長室用高度微調節(jié)裝置具有結構簡單、操作方便、調節(jié)精確細微等優(yōu)點；

二、前述高度調節(jié)盤上的螺紋通孔及無螺紋通孔所在位置呈四邊形結構布置，并兩螺紋通孔位于四邊形的同一對角線上，兩無螺紋通孔位于四邊形的另一對角線上，即兩高度調節(jié)螺釘位于一對角線上，兩鎖固螺釘位于另一對角線上，如此，確保了高度調節(jié)盤及耐高溫支撐柱的不會出現(xiàn)傾斜偏移等現(xiàn)象，從而，確保了整個加熱線圈的高度保持一致、不會傾斜。

為更清楚地闡述本實用新型的結構特征和功效，下面結合附圖與具體實施例來對本實用新型進行詳細說明。

附圖說明

圖1是本實用新型之實施例的立體結構示意圖；

圖2是本實用新型之實施例的分解結構示意圖；

圖3是圖1中M-M處的截面示意圖（狀態(tài)一）；

圖4是圖1中M-M處的截面示意圖（狀態(tài)二）。

附圖標識說明：

10、生長室底盤?????????????11、螺紋孔

20、高度調節(jié)盤?????????????21、螺紋通孔

22、無螺紋通孔?????????????30、高度調節(jié)螺釘

40、鎖固螺釘???????????????50、耐高溫支撐柱。

具體實施方式