[實用新型]高溫CVD生長室用高度微調節裝置

有效

• 申請號: 201220201813.3
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN202610320U
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 孫國勝;董林;王雷;趙萬順;劉興昉;閆果果;鄭柳
• 申請（專利權）人: 東莞市天域半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 彭長久

1.一種高溫CVD生長室用高度微調節裝置，其特征在于：包括有耐高溫支撐柱、生長室底盤、高度調節盤、高度調節螺釘及鎖固螺釘，其中，該耐高溫支撐柱相對高度調節盤固定式設置于高度調節盤上，該高度調節盤位于生長室底盤上方；

該高度調節盤上開設有螺紋通孔、無螺紋通孔，并于生長室底盤上對應前述無螺紋通孔位置開設有螺紋孔；該高度調節螺釘螺合于高度調節盤的螺紋通孔內，并該高度調節螺釘的底端抵于生長室底盤上；該鎖固螺釘穿過高度調節盤的無螺紋通孔并螺合于生長室底盤的螺紋孔內。

2.根據權利要求1所述的高溫CVD生長室用高度微調節裝置，其特征在于：所述高度調節盤上的無螺紋通孔為兩個，相應地，前述生長室底盤上的螺紋孔亦為兩個，前述鎖固螺釘亦為兩個；該鎖固螺釘分別穿過相應的無螺紋通孔并螺合于相應的螺紋孔內。

3.根據權利要求2所述的高溫CVD生長室用高度微調節裝置，其特征在于：所述高度調節盤上的螺紋通孔為兩個，前述高度調節螺釘亦為兩個，該高度調節螺釘分別螺合于相應的螺紋通孔內。

4.根據權利要求3所述的高溫CVD生長室用高度微調節裝置，其特征在于：所述高度調節盤上的螺紋通孔及無螺紋通孔所在位置呈四邊形結構布置，并兩螺紋通孔位于四邊形的同一對角線上，兩無螺紋通孔位于四邊形的另一對角線上。

5.根據權利要求4所述的高溫CVD生長室用高度微調節裝置，其特征在于：所述高度調節盤為方形結構，其上的螺紋通孔及無螺紋通孔所在位置亦呈方形結構布置。

6.根據權利要求1至5中任何一項所述的高溫CVD生長室用高度微調節裝置，其特征在于：所述高度調節螺釘系無帽螺釘。