[實用新型]真空腔有效
| 申請號: | 201220201550.6 | 申請日: | 2012-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN202633249U | 公開(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發明(設計)人: | 樸宇鐘;樸希偵 | 申請(專利權)人: | 麗佳達普株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 空腔 | ||
1.一種真空腔,其包括:
外殼,具有用于收容或移送被處理體的空間;
排氣槽,形成在所述外殼的內側面上;
排氣孔,形成在所述排氣槽的一面上,并貫穿所述外殼;以及
排氣泵,與所述排氣孔連接,用于排出所述外殼內部的氣體。
2.根據權利要求1所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣槽的截面積大于所述排氣孔的截面積。
3.根據權利要求1所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣孔與所述排氣槽形成臺階。
4.根據權利要求1所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣槽的外輪廓形成為圓形。
5.根據權利要求1所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣槽的外輪廓形成為多邊形。
6.根據權利要求5所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣槽的外輪廓形成為矩形。
7.根據權利要求1所述的真空腔,其特征在于,所述排氣槽具有:
主槽以及從所述主槽的一側向所述外殼的內側方向延伸形成的突出槽。
8.根據權利要求7所述的真空腔,其特征在于,
所述突出槽的寬度小于所述主槽的寬度,所述突出槽與所述主槽形成臺階。
9.根據權利要求7或8所述的真空腔,其特征在于,
所述突出槽的外輪廓形成為矩形。
10.根據權利要求7或8所述的真空腔,其特征在于,
所述突出槽的一側的外輪廓形成為圓弧形。
11.根據權利要求7或8所述的真空腔,其特征在于,
在所述外殼內的所述空間中具有用于支承所述被處理體的工作臺,所述突出槽的至少一部分位于所述工作臺的下部。
12.根據權利要求7或8所述的真空腔,其特征在于,
在所述外殼內的所述空間中具有用于支承所述被處理體的工作臺,所述突出槽位于所述工作臺下部的外側。
13.根據權利要求1所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣孔的外輪廓形成為圓形。
14.根據權利要求1所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣孔的外輪廓形成為多邊形。
15.根據權利要求14所述的真空腔,其特征在于,
所述排氣孔的外輪廓形成為矩形。
16.一種真空腔,其包括:
外殼,具有用于收容或移送被處理體的空間;
排氣部,在所述外殼的一面上貫穿形成,內側面折曲形成為具有規定級差的多級臺階;
排氣泵,與所述排氣部連接,用于排出所述外殼內部的氣體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于麗佳達普株式會社,未經麗佳達普株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220201550.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:電壓模式發射器均衡器
- 下一篇:彩色全息影像的合成系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





