[實(shí)用新型]單晶爐石墨坩堝提升裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220192925.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-04-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202643902U | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 舟橋啟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海漢虹精密機(jī)械有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B15/30 | 分類號(hào)： | C30B15/30 |
| 代理公司： | 上海元一成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 趙青 |
| 地址： | 200444 上海市寶*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶爐 石墨 坩堝 提升 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，包括：
坩堝軸，所述坩堝軸設(shè)置在單晶爐底部；
石墨坩堝托盤，所述石墨坩堝托盤設(shè)置在所述坩堝軸的頂端；
石墨坩堝，所述石墨坩堝為分體式石墨坩堝，所述石墨坩堝設(shè)置在所述石墨坩堝托盤上；
石墨坩堝，所述石墨坩堝套設(shè)在所述石墨坩堝托盤內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，所述石墨坩堝托盤與所述石墨坩堝的接觸面的形狀與所述石墨坩堝的底部的形狀相契合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，當(dāng)所述坩堝軸的行程達(dá)到最大值時(shí)，所述石墨坩堝托盤的水平位置高于加熱器所在平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐石墨坩堝提升裝置，其特征在于，在所述石墨坩堝托盤的邊緣設(shè)有搭肩。
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