[實用新型]薄膜晶體管基板有效
| 申請號： | 201220185149.8 | 申請日： | 2012-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN202721128U | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 黃金海;孫伯彰;陳冠妤;黃思齊 | 申請（專利權）人： | 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡學俊 |
| 地址： | 350015 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 | ||
1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括：
一基板；
復數條掃描線，形成在該基板上；
復數條數據線，與該掃描線相互垂直；
復數個薄膜晶體管，位于該些掃描線，且相鄰兩條數據線之間；以及
復數段導體，分別電性連接相對應該些掃描線及/或該些數據線，其中該些導體由一第一圖案化金屬氧化物層摻雜一還原性氣體而形成。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其中該第一圖案化金屬氧化物層的材料為銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其中該還原性氣體為氫氣。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其中該導體位在該數據線與該基板之間。
5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其中該數據線覆蓋該導體。
6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其中該掃描線位在該基板與該導體之間。
7.根據權利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：更包括一閘極絕緣層，該閘極絕緣層位在該導體與該基板之間。
8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：更包括一閘極絕緣層，形成在該基板上，并覆蓋該掃描線，該閘極絕緣層形成有一貫穿孔，該貫穿孔位在該掃描線的中央位置上方，其中該導體藉由該貫穿孔電性連接該掃描線。
9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：更包括：
一閘極絕緣層及一蝕刻停止層，其中每一該薄膜晶體管包括一第二圖案化金屬氧化物層，該第二圖案化金屬氧化物層形成在該閘極絕緣層與該蝕刻停止層之間。
10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：其中該第二圖案化金屬氧化物層與該第一圖案化金屬氧化物層藉由同一制程和材料而形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
