[實用新型]薄膜晶體管基板

有效

• 申請號: 201220185149.8
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN202721128U
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 黃金海;孫伯彰;陳冠妤;黃思齊
• 申請（專利權）人: 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

技術領域

本實用新型為一種薄膜晶體管基板，特別是有關于一種低線路阻抗的薄膜晶體管基板。?

背景技術

近年來，隨半導體制程技術的進步，薄膜晶體管基板的制造越來越容易及快速。?

圖1a為習知薄膜晶體管基板部份平面示意圖。圖1a中的AB線段的剖面在圖1b中顯示。圖1a中的CD線段的剖面在圖1c中顯示。如圖1a所示，薄膜晶體管基板9包括復數條數據線91以及復數條掃描線92。每相鄰兩條的資料線91和每相鄰兩條的掃描線92所圍成的區域為一畫素93，每一畫素93都有一薄膜晶體管。?

請同時參閱圖1b及圖1c。在基板94上形成掃描線92。然后，閘極絕緣層(gate?insulation?layer)95形成在基板94上，并覆蓋該掃描線92。然后，于閘極絕緣層95上形成數據線91。最后，保護層(passivation?layer)96形成在閘極絕緣層95上，并覆蓋數據線91。?

然而，隨著液晶顯示器的尺寸越做越大，其分辨率越高，薄膜晶體管基板上的數據線及掃描線的數量明顯增加，導致線路的總阻抗因而增加，使整個畫素電路的充放電時間變長，畫素電路的反應速度變慢。?

因此，便有需要提供一種線路電阻較低的薄膜晶體管基板，以解決前述的問題。?

發明內容

本實用新型的目的是提供一種薄膜晶體管基板，該基板結構能降低畫素電路的阻抗，使整個畫素電路的充放電時間變短，畫素電路的反應速度上升，尤其在大尺寸的液晶顯示器上，其畫面的均勻度提升。?

本實用新型采用以下方案實現：一種薄膜晶體管基板，其包括：一基板；復數條掃描線，形成在該基板上；復數條數據線，與該掃描線相互垂直；復數個薄膜晶體管，位于該些掃描線，且相鄰兩條數據線之間；以及復數段導體，分別電性連接相對應該些掃描線及/或該些數據線，其中該些導體由圖案化金屬氧化物層摻雜還原性氣體而形成。?

在本實用新型一實施例中，其中該第一圖案化金屬氧化物層的材料為銦鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物。?

在本實用新型一實施例中，其中該還原性氣體為氫氣。?

在本實用新型一實施例中，其中該導體位在該數據線與該基板之間。?

在本實用新型一實施例中，其中該數據線覆蓋該導體。?

在本實用新型一實施例中，其中該掃描線位在該基板與該導體之間。?

在本實用新型一實施例中，更包括一閘極絕緣層，該閘極絕緣層位在該導體與該基板之間。?

在本實用新型一實施例中，更包括一閘極絕緣層，形成在該基板上，并覆蓋該掃描線，該閘極絕緣層形成有一貫穿孔，該貫穿孔位在該掃描線的中央位置上方，其中該導體藉由該貫穿孔電性連接該掃描線。?

在本實用新型一實施例中，更包括：?

一閘極絕緣層及一蝕刻停止層，其中每一該薄膜晶體管包括一第二圖案化金屬氧化物層，該第二圖案化金屬氧化物層形成在該閘極絕緣層與該蝕刻停止層之間。

在本實用新型一實施例中，其中該第二圖案化金屬氧化物層與該第一圖案化金屬氧化物層藉由同一制程和材料而形成。?

因此，本實用新型的特點在于最主要是利用制程的過程中，在沉積保護層時所產生的還原性氣體(例如氫氣)會和金屬氧化物(例如銦鎵鋅氧化物)產生化學反應，使銦鎵鋅氧化物因為氫氣的摻雜由原本的半導體變成導體的特性，將它運用在畫素電路的掃描線和數據在線，使得金屬導線與導體化的銦鎵鋅氧化物相互電性連接，達到降低畫素電路的阻抗，使整個畫素電路的充放電時間變短，畫素電路的反應速度上升，尤其在大尺寸的液晶顯示器上，其畫面的均勻度提升。?

為了讓本實用新型的上述和其它目的、特征、和優點能更明顯，下文將配合所附圖示，作詳細說明如下。?

附圖說明

圖1a為習知薄膜晶體管基板部份平面示意圖；?

圖1b為習知資料線的剖面圖；

圖1c為習知掃描線的剖面圖；

圖2a為本實用新型的第一實施例的薄膜晶體管基板部份平面示意圖；

圖2b為本實用新型的第一實施例薄膜晶體管的剖面圖；

圖2c為本實用新型的第一實施例資料線的剖面圖；

圖3a為本實用新型的第二實施例的薄膜晶體管基板部份平面示意圖；

圖3b為本實用新型的第二實施例資料線的剖面圖；

圖4a為本實用新型的第三實施例的薄膜晶體管基板部份平面示意圖；

圖4b為本實用新型的第三實施例掃描線的剖面圖；

圖5為本實用新型的第四實施例的薄膜晶體管基板部份平面示意圖；以及