[實用新型]一種吸收電容結構

有效

• 申請號: 201220182743.1
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN202616046U
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 金紅旗;李彥棟;黎捷勇
• 申請（專利權）人: 美的集團有限公司
• 主分類號: H01G4/38
• 分類號: H01G4/38;H01G4/224;H01G4/236
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 禹小明

技術領域

?本實用新型涉及吸收電容器，特別是一種應用在橋式逆變回路上的一體化吸收電容結構。

背景技術

商用電磁爐通常采用半橋或全橋逆變拓撲結構，在高頻逆變過程中為了實現開關器件的軟開關，通常需要增加吸收電容做緩沖電路，以降低關斷時刻的開關損耗。由于處于高的關斷電流條件下，吸收電容自身發熱嚴重。現有的吸收電容通常為分立結構，吸收電容與IGBT的CE極比較遠，引腳比較長，雜散電感較大，吸收效果比較差；另外由于受到IGBT封裝模塊的影響，吸收電容安裝不方便。

發明內容

本實用新型的目的在于針對上述現有的問題而提供一種吸收電容結構，可以降低引腳的雜散電感，提高吸收電容的吸收效果，同時提高系統的可裝配性，降低吸收電容的溫度，增加吸收電容的可靠性。

實現本實用新型目的的技術方案是：一種吸收電容結構，其特征在于，其為兩個一體化封裝結構的電容，且設有能與IGBT管腳一一對應分別直接連接的端子。?

上述吸收電容包括第一電容芯子、第二電容芯子、第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子通過焊點與第一電容芯子的下端面相連；第二端子通過焊點與第二電容芯子的下端面相連；第三端子分別通過焊點與第一電容芯子的上端面、第二電容芯子上端面相連。

上述吸收電容通過填充物灌封于電容外殼中，所述端子從電容外殼中引出。

使用時，將本實用新型的第一端子、第二端子、第三端子分別與IGBT的三個管腳直接連接，形成本實用新型與IGBT直接并聯的結構。

本實用新型的有益效果是，將電容模塊做一體化設計，通過內部封裝，引出與IGBT管腳一一對應的三根端子，直接并聯在IGBT的模塊上，具有裝配方便，同時電容與IGBT模塊等高，可以很方便地固定在IGBT模塊的散熱器上，有利于器件的散熱。

附圖說明

圖1為本實用新型的整體與IGBT連接的示意圖；

圖2為本實用新型展開的具體結構示意圖；

圖３為本實用新型展開的另一視角具體結構示意圖；

圖４為本實用新型灌封完成后的結構示意圖；

圖５為本實用新型與IGBT連接的電氣原理圖。

具體實施方式

下面結合實施例和附圖對本實用新型作進一步說明。

如圖2、圖3、圖4所示，本實用新型包括有第一電容芯子14、第二電容芯子15、第一端子11、第二端子12、第三端子13、電容外殼16和填充物17；第一端子11通過焊點143與第一電容芯子14的下端面相連；第二端子12通過焊點153與第二電容芯子15的下端面相連；第三端子13通過焊點142與第一電容芯子14的上端面相連，通過焊點152與第二電容芯子15上端面相連；然后通過填充物17灌封于電容外殼16中，第一端子11、第二端子12、第三端子13從電容外殼16中引出，構成兩個一體化封裝結構的電容結構，本實施例中，填充物17采用環氧樹脂。

本實用新型使用時，如圖1、圖5所示，它的第一端子11、第二端子12、第三端子13分別與對應的IGBT模塊2的第一管腳21、第二管腳22、第三23直接相連。

本實用新型通過將逆變電路中，IGBT兩端的吸收電容進行一體化封裝，使吸收電容的端子與IGBT的管腳一一對應，方便裝配，同時此種結構吸收電容的引線相對比較短，可以有效地降低雜散電感；另外，吸收電容還可以直接固定在散熱片上，其與IGBT等高的一體化設計，可以很方便的利用IGBT散熱器對吸收電容進行散熱，降低吸收電容的溫升，有效地提高吸收電容的可靠性。