[實用新型]一種吸收電容結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220182743.1
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN202616046U
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設計）人: 金紅旗;李彥棟;黎捷勇
• 申請（專利權）人: 美的集團有限公司
• 主分類號: H01G4/38
• 分類號: H01G4/38;H01G4/224;H01G4/236
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 禹小明

1.一種吸收電容結構，其特征在于，其為兩個一體化封裝結構的電容，且設有能與IGBT管腳一一對應分別直接連接的端子。

2.根據權利要求1所述的吸收電容結構，其特征在于，所述電容包括第一電容芯子（14）、第二電容芯子（15）、第一端子（11）、第二端子（12）和第三端子（13），所述第一端子（11）通過焊點（143）與第一電容芯子（14）的下端面相連；第二端子（12）通過焊點（153）與第二電容芯子（15）的下端面相連；第三端子（13）分別通過焊點（142、152）與第一電容芯子（14）的上端面、第二電容芯子（15）上端面相連。

3.根據權利要求1或2所述的吸收電容結構，其特征在于，所述電容通過填充物（17）灌封于電容外殼（16）中，所述端子從電容外殼（16）中引出。