[實用新型]氣體噴灑頭有效
| 申請號: | 201220177033.X | 申請日: | 2012-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN202610324U | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發明(設計)人: | 黃智勇;陳建志;王慶鈞;簡榮禎;蔡陳德;林龔樑 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺灣中*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 噴灑 | ||
技術領域
本實用新型是有關于一種氣體噴灑頭,且特別是有關于一種可以噴灑兩種以上氣體,且能達到均勻混合效果的氣體噴灑頭。
背景技術
隨著鍍膜制程的發展,在化學氣相沈積的反應過程中,如何將氣體均勻地噴灑到腔室中便成為重要的問題。對此,氣體分布模塊(gas?distribution?module),特別是氣體噴灑頭(gas?showerhead)扮演了重要的角色。
針對氣體分布模塊或氣體噴灑頭的設計與結構,已經有數種專利提出。美國專利US?7138336B2與美國專利US?7641939B2采用噴灑頭進氣、腔室側邊抽氣的方式控制氣體進出。美國專利US?6921437揭露一種可預先混合先驅氣體的氣體分布模塊,但不適用于先驅氣體不可預先混合的制程。美國專利US?6478872揭露一種將氣體輸送至腔室的方法,以及用于輸送氣體的噴灑頭。然而該設計的構造復雜,且制造成本昂貴。
實用新型內容
本實用新型提供一種氣體噴灑頭,可以噴灑兩種以上氣體,且達到均勻混合的效果。
本實用新型提出一種氣體噴灑頭,包括一噴灑頭主體,其特征在于:噴灑頭主體具有氣體作用表面與位于氣體作用表面上的多個進氣孔,其中各進氣孔包括第一進氣道與開設于第一進氣道周圍的至少一第二進氣道,且第一進氣道的進氣面積與第二進氣道的進氣面積的比例在1∶1.5~1∶2.5之間。在進氣孔的進氣方向上,第一進氣道的長度比第二進氣道的長度多0.5mm~1.5mm。
在本實用新型的一實施例中,上述的第一進氣道的進氣面積例如在1.8mm2~2.1mm2之間。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二進氣道的進氣面積例如在3.6mm2~4.2mm2之間。
在本實用新型的一實施例中,該至少一第二進氣道為一環狀進氣道,且該環狀進氣道環繞該第一進氣道。
在本實用新型的一實施例中,該至少一第二進氣道為多個第二進氣道,圍繞該第一進氣道。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二進氣道的進氣方向例如與第一進氣道的進氣方向平行。
在本實用新型的一實施例中,上述的第二進氣道的進氣方向與第一進氣道的進氣方向例如成一夾角。
在本實用新型的一實施例中,上述的進氣孔還包括錐形開口,與第一進氣道以及第二進氣道相連通。
在本實用新型的一實施例中,上述的第一進氣道與噴灑頭主體例如為一體成型。
在本實用新型的一實施例中,上述的第一進氣道例如是利用螺接或緊密配合的方式連接于噴灑頭主體上。
在本實用新型的一實施例中,氣體噴灑頭還包括位于氣體作用表面的中心位置的中央排氣口。
在本實用新型的一實施例中,上述的中央排氣口例如是由多個排氣孔所構成。
在本實用新型的一實施例中,上述的中央排氣口的排氣面積與進氣孔的總進氣面積的比例例如為0.03~0.04。
在本實用新型的一實施例中,上述的中央排氣口的排氣面積與進氣孔的總進氣面積的比例例如小于0.03。
在本實用新型的一實施例中,上述的噴灑頭主體還包括至少一環狀排氣口,環狀排氣口例如是以中央排氣口為中心,呈同心圓狀配置。
在本實用新型的一實施例中,上述的環狀排氣口由多個排氣孔所構成。
本實用新型的有益效果:基于上述,本實用新型的氣體噴灑頭由于其第一進氣道與第二進氣道具有優化的進氣面積比例,在噴灑氣體時,能使其均勻地混合。
附圖說明
圖1A是依照本實用新型第一實施例所繪示的氣體噴灑頭的立體示意圖。
圖1B是依照本實用新型第一實施例所繪示的氣體噴灑頭的正視圖。
圖1C是圖1B的氣體噴灑頭的進氣孔局部放大圖。
圖1D是沿著圖1C的BB線的剖面圖。
圖2A是依照本實用新型第二實施例所繪示的進氣孔的正視圖。
圖2B是沿著圖2A的C-C聯機的剖面圖。
圖3A是依照本實用新型第三實施例所繪示的一種進氣孔的剖面圖。
圖3B是依照本實用新型第三實施例所繪示的另一種進氣孔的剖面圖。
圖4是依照本實用新型第四實施例所繪示的氣體噴灑頭的正視圖。
圖5是依照本實用新型第五實施例所繪示的氣體噴灑頭的正視圖。
【主要元件符號說明】
100、400、500:氣體噴灑頭
102、402、502:噴灑頭主體
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





