[實用新型]一種小型化的功率增益均衡器

有效

• 申請號: 201220171549.3
• 申請日: 2012-04-20
• 公開（公告）號: CN202585322U
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 王志剛;王歡;延波;徐銳敏
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01J23/20
• 分類號: H01J23/20;H01J23/14
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 周永宏

技術領域

本實用新型屬于功率器件技術領域，尤其涉及一種針對大功率行波管功率增益平坦度的調節的功率增益均衡器。

背景技術

目前，常用的調整行波管增益平坦度的功率增益均衡器按傳輸線形式分類主要包括：微帶線型，波導型和同軸線型三種。微帶線型，波導型和同軸線型的基本構成包括傳輸線主線和連接在傳輸線主線的若干個諧振吸收單元。當傳輸線主線上傳輸的能量經過某個諧振吸收單元時，該諧振吸收單元將該諧振吸收單元的諧振頻率及其附近的一部分能量耦合入諧振吸收單元內，依靠該諧振吸收單元的吸收機構將能量吸收，諧振吸收單元的吸收機構可由吸波材料或者電阻組成。通過調整諧振吸收單元的諧振頻率、吸收機構的吸收量大小，從而得到均衡器所需要的曲線。

對于微帶線型，由于主傳輸線和諧振吸收單元均位于同一空間層，因此其體積還有進一步縮小的空間，并且諧振吸收單元的Q值較同軸線型或者波導型的諧振吸收單元低，不便于實現較陡峭的衰減曲線。

對于波導型和同軸線型，由于吸波材料的使用，導致仿真運算量大，設計周期較長，實物與仿真結果存在差異，需要后期調試工作，因而需要有可調諧的機械結構，所以設計結構復雜，體積較大。

低溫共燒陶瓷(Low?Temperature?Co-fired?Ceramics，LTCC)技術是由休斯公司在1982年成功研制出來的一種多層基板布線技術，具有集成度高，高頻特性優良的特點，它是把低溫共燒陶瓷粉加工制作成一定厚度并致密的生磁帶，再在磁帶上打孔、注漿、印刷導體圖形等，可以將電容、電阻、無源部分的設計埋置入多層基板中，最終疊壓在一起，在900度左右溫度下燒結后，加工制作成高密度的多層電路。從而可以實現較高集成度，較好性能的電路功能模塊。

基片集成波導(Substrate?Integrated?Waveguide，SIW)是由介質基片上下底面的金屬片和兩側由金屬化通孔代替的波導壁組成，可以看成是傳統金屬波導和微帶線的綜合。基片集成波導構成的諧振腔便于平面集成和具有較高的Q值。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了減小功率增益均衡器體積，提出了一種小型化的功率增益均衡器。

本實用新型的技術方案是：一種小型化的功率增益均衡器，包括從上到下依次層疊的微帶層、第一介質層、第一金屬層、第二介質層、第二金屬層、第三介質層和第三金屬層；

所述微帶層包括傳輸線主線、第一薄膜電阻、第二薄膜電阻、第三薄膜電阻、第一金屬連接板、第二金屬連接板和第三金屬連接板，所述第一薄膜電阻、第二薄膜電阻、第三薄膜電阻分別與第一金屬連接板、第二金屬連接板和第三金屬連接板連接后依次排列連接在傳輸線主線上；

所述第一介質層包括第一介質基板、第一金屬化通孔、第二金屬化通孔和第三金屬化通孔，所述第二金屬化通孔位于介質基板中心，第一金屬化通孔和第三金屬化通孔分別位于第二金屬化通孔兩側；

所述第一金屬層包括虛擬金屬板、第一過孔、第二過孔和第三過孔，所述第二過孔位于虛擬金屬板中心，第一過孔和第三過孔分別位于第二過孔兩側；

所述第二介質層包括第二介質基板、第一諧振腔腔壁、第二諧振腔腔壁、第一金屬化沉孔、金屬化通孔和第二金屬化沉孔，所述第一諧振腔腔壁包括從上往下依次層疊的第一金屬化通孔陣列、第一金屬導帶、第二金屬化通孔陣列、第二金屬導帶和第三金屬化通孔陣列；所述第二諧振腔腔壁包括從上往下依次層疊的第一金屬化通孔陣列、第一金屬導帶、第二金屬化通孔陣列、第二金屬導帶和第三金屬化通孔陣列，所述金屬化通孔位于第二介質基板中心，第一諧振腔腔壁和第二諧振腔腔壁分別位于金屬化通孔兩側且埋置在第二介質基板中，所述第一金屬化沉孔和第二金屬化沉孔分別位于第一諧振腔腔壁和第二諧振腔腔壁的正中心，所述金屬化通孔陣列是沿著矩形外圈排列，相鄰兩金屬化通孔陣列間的金屬化過孔的孔間間距是同層金屬化過孔孔間間距的一半；

所述第二金屬層包括虛擬金屬板、過孔，所述過孔位于虛擬金屬板中心；

所述第三介質層包括第三介質基板、金屬化沉孔和諧振腔腔壁，所述諧振腔腔壁包括從上往下依次層疊的第一金屬化通孔陣列、第一金屬導帶、第二金屬化通孔陣列、第二金屬導帶和第三金屬化通孔陣列，所述諧振腔腔壁埋置在第三介質基板中，金屬化沉孔位于諧振腔腔壁中心；

所述第三金屬層包括金屬板；

所述第一金屬化通孔穿過第一過孔與第一金屬化沉孔相接形成探針結構，該探針結構頂部與第一金屬連接板相接；

所述第三金屬化通孔穿過第三過孔與第二金屬化沉孔相接形成探針結構，該探針結構頂部與第三金屬連接板相接；