[實(shí)用新型]一種干刻機(jī)的上電極結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220169321.0 | 申請日: | 2012-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN202663641U | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭建博 | 申請(專利權(quán))人: | 彩虹(佛山)平板顯示有限公司 |
| 主分類號: | H05H1/34 | 分類號: | H05H1/34;H01J37/305;C23F4/00;C30B33/12;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 田洲 |
| 地址: | 528300 廣東省佛*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 干刻機(jī) 電極 結(jié)構(gòu) | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本實(shí)用新型屬于刻蝕技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種干刻機(jī)的上電極結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
目前用于制造液晶及0LED面板的干刻機(jī)的上電極線圈的設(shè)計(jì)如圖1所示,采用比較廣泛的工藝是單線圈10,而在干刻制程中,因?yàn)閱尉€圈10只能對等離子體進(jìn)行整體控制,無法實(shí)現(xiàn)分區(qū)域控制,容易產(chǎn)生刻蝕不均勻缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
本實(shí)用新型的目的在于提供一種干刻機(jī)的上電極結(jié)構(gòu),以解決上述技術(shù)問題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
一種干刻機(jī)的上電極結(jié)構(gòu),包括電極板和設(shè)置于電極板上的九個(gè)線圈。
本實(shí)用新型進(jìn)一步的改進(jìn)在于:所述九個(gè)線圈呈矩陣式排列。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型通過在上電極的電極板上矩陣式的設(shè)置9個(gè)線圈,使得基板在正常等離子刻蝕中,可實(shí)現(xiàn)對腔室等離子的密度進(jìn)行九個(gè)區(qū)域控制,有利于控制干刻中出現(xiàn)的刻蝕不均勻;在蝕刻法生產(chǎn)中不僅可以提高改善干刻制程中產(chǎn)生的不均勻問題,并且可以實(shí)現(xiàn)基板中心及四角同步刻蝕,提高刻蝕效率;經(jīng)干刻法生產(chǎn)后,基板就不會由于基板中心及四角等離子密度不同,致使刻蝕速率不一,造成刻蝕不均勻,同時(shí)可以提高基板的刻蝕效率。
【附圖說明】
圖1是現(xiàn)有干刻機(jī)上電極線圈的示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的干刻機(jī)上電極線圈的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)描述:
請參閱圖2所示,本實(shí)用新型一種干刻機(jī)的上電極結(jié)構(gòu)包括電極板1和設(shè)置于電極板1上的九個(gè)線圈2,電極板1為鋁板,鋁板上設(shè)有一層陶瓷層;九個(gè)線圈2矩陣式排列于陶瓷層上,每個(gè)線圈2獨(dú)立控制;基板在正常等離子刻蝕中,可實(shí)現(xiàn)對腔室等離子的密度進(jìn)行九個(gè)區(qū)域控制,有利于控制干刻中出現(xiàn)的刻蝕不均勻;在蝕刻法生產(chǎn)中不僅可以提高改善干刻制程中產(chǎn)生的不均勻問題,并且可以實(shí)現(xiàn)基板中心及四角同步刻蝕,提高刻蝕效率;經(jīng)干刻法生產(chǎn)后,基板就不會由于基板中心及四角等離子密度不同,致使刻蝕速率不一,造成刻蝕不均勻,同時(shí)可以提高基板的刻蝕效率。
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