[實用新型]高壓開關器件

有效

• 申請號: 201220167335.9
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN202523717U
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 易坤
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/47;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

技術領域

本實用新型涉及一種開關器件，更具體地說，本實用新型涉及一種高壓開關器件。

背景技術

對于電子電路，很多時候需要檢測開關器件的漏接電壓用以檢測線電壓的欠壓鎖存(UVLO)或用以開啟過壓保護(OVP)。常用的方法為通過金屬線穿越開關器件的漂移區將開關器件的漏極焊盤和電阻分割器耦接起來，以得到所需的檢測電壓。但對高壓開關器件(如工作電壓高于500V的開關器件)，如果直接用金屬線穿越開關器件的漂移區，則由于金屬線上的高壓降，將會嚴重降低開關器件的擊穿電壓，并極可能損壞開關器件。

現有技術嘗試各種方法消除金屬線的上述效應。一種現有技術通過制作兩層多晶硅盤以隔離金屬線在硅表層電場分布的效應。但這種方法使工藝復雜化，并且造成開關器件可靠性降低。

另一種現有技術通過在高壓開關器件外增加一個額外的漏極焊盤，來耦接電阻分割器，并通過鍵合線將兩個漏接焊盤耦接至引線框。這種方法增加了焊盤數量，使成本變高。

實用新型內容

因此本實用新型的目的在于解決現有技術的上述技術問題，提出一種簡單可靠的高壓開關器件。

根據上述目的，本實用新型提出了一種高壓開關器件，包括：襯底，具有第一型摻雜；形成在襯底上的外延層；形成在外延層內的漏區和源區，其中所述源區具有第一型摻雜，所述漏區具有第二型摻雜；位于所述源區和所述漏區之間的漂移區；覆蓋部分源區的柵氧；覆蓋柵氧覆蓋之外的其他外延層部分的場氧；形成在柵氧上的柵極部分；以及形成在場氧上的蛇形多晶硅部分，其中所述蛇形多晶硅部分具有第一端和第二端，其第一端與所述漏區接觸，其第二端靠近所述柵極部分但與其分開，所述蛇形多晶硅部分在垂直方向上位于所述漂移區上。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，其中所述高壓開關器件包括金屬氧化物場效應晶體管或者結型場效應晶體管；所述第一型摻雜為P型，所述第二型摻雜為N型。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，其中所述高壓開關器件包括金屬氧化物場效應晶體管或者結型場效應晶體管；所述第一型摻雜為N型，所述第二型摻雜為P型。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，其中所述蛇形多晶硅部分的電阻值范圍為3×10⁶Ω～5×10⁶Ω。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，其中所述蛇形多晶硅部分的第二端通過金屬線引出，并通過電阻器連接至參考地。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，其中所述電阻器的阻值為所述蛇形多晶硅部分的電阻值的1/50以下。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，其中所述漂移區包括多個輕摻雜區和多個第三摻雜區，所述輕摻雜區和第三摻雜區被依次交替放置在漂移區內；其中所述輕摻雜區的摻雜濃度水平低于所述第三摻雜區的摻雜濃度水平。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，進一步包括形成于所述源區的基區，所述基區具有第一型摻雜。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，進一步包括與第一重摻雜區和第二重摻雜區接觸的源極電極；以及與第三重摻雜區接觸的漏極電極。

根據本實用新型實施例的一種高壓開關器件，其中所述柵極部分采用多晶硅。

根據本實用新型各方面的上述高壓開關器件，無需額外焊盤，簡單實現漏極電壓檢測，并且其對原有制作工藝無需大的改進，使得制作的高壓開關器件可靠性強。

附圖說明

圖1示意性地示出了根據本實用新型一實施例的高壓開關器件的剖面圖100；

圖2示意性地示出了根據本實用新型一實施例的高壓開關器件的剖面圖200；

圖3示意性地示出了根據本實用新型一實施例的高壓開關器件的俯視圖300；

圖4示意性地示出圖1所示高壓開關器件的等效電路圖400；

圖5示意性地示出了根據本實用新型另一實施例的高壓開關器件的剖面圖500。

具體實施方式

下面將詳細描述本實用新型的具體實施例，應當注意，這里描述的實施例只用于舉例說明，并不用于限制本實用新型。在以下描述中，為了提供對本實用新型的透徹理解，闡述了大量特定細節。然而，對于本領域普通技術人員顯而易見的是：不必采用這些特定細節來實行本實用新型。在其他實例中，為了避免混淆本實用新型，未具體描述公知的電路、材料或方法。