[實(shí)用新型]高壓開關(guān)器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220167335.9
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN202523717U
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 易坤
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/47;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述高壓開關(guān)器件包括：

襯底，具有第一型摻雜；

形成在襯底上的外延層；

形成在外延層內(nèi)的漏區(qū)和源區(qū)，其中所述源區(qū)具有第一型摻雜，所述漏區(qū)具有第二型摻雜；

位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間的漂移區(qū)；

覆蓋部分源區(qū)的柵氧；

覆蓋柵氧覆蓋之外的其他外延層部分的場氧；

形成在柵氧上的柵極部分；以及

形成在場氧上的蛇形多晶硅部分，其中所述蛇形多晶硅部分具有第一端和第二端，其第一端與所述漏區(qū)接觸，其第二端靠近所述柵極部分但與其分開，所述蛇形多晶硅部分在垂直方向上位于所述漂移區(qū)上。

2.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，

所述高壓開關(guān)器件包括金屬氧化物場效應(yīng)晶體管或者結(jié)型場效應(yīng)晶體管；

所述第一型摻雜為P型，所述第二型摻雜為N型。

3.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，

所述高壓開關(guān)器件包括金屬氧化物場效應(yīng)晶體管或者結(jié)型場效應(yīng)晶體管；

所述第一型摻雜為N型，所述第二型摻雜為P型。

4.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述蛇形多晶硅部分的電阻值范圍為3×10⁶Ω～5×10⁶Ω。

5.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述蛇形多晶硅部分的第二端通過金屬線引出，并通過電阻器連接至參考地。

6.如權(quán)利要求4所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述電阻器的阻值為所述蛇形多晶硅部分的電阻值的1/50以下。

7.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述漂移區(qū)包括多個輕摻雜區(qū)和多個第三摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)被依次交替放置在漂移區(qū)內(nèi)；其中所述輕摻雜區(qū)的摻雜濃度水平低于所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度水平。

8.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述高壓開關(guān)器件進(jìn)一步包括形成于所述源區(qū)的基區(qū)，所述基區(qū)具有第一型摻雜。

9.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述高壓開關(guān)器件進(jìn)一步包括：

與第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)接觸的源極電極；以及

與第三重?fù)诫s區(qū)接觸的漏極電極。

10.如權(quán)利要求1所述的高壓開關(guān)器件，其特征在于，所述柵極部分采用多晶硅。