[實(shí)用新型]PECVD沉積槽

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220157527.1
• 申請(qǐng)日: 2012-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202543320U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫雙慶;杜穎濤;齊海洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英利能源（中國(guó)）有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44;B32B15/01
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光伏電池上鍍膜PECVD設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種PECVD沉積槽。

背景技術(shù)

光伏電池生產(chǎn)過(guò)程中，需要在光伏電池的半成品電池即硅片的表面鍍上一層減反射膜。目前，采用化學(xué)氣相沉積(CVD，Chemical?Vapor?Deposition)的方法在硅電池片表面形成減反射膜。化學(xué)氣相沉積方法，即采用化學(xué)方法使氣體在基體材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成覆蓋層的方法。

為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種化學(xué)氣相沉積稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD，Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition)。該方法借助微波或射頻等使含有薄膜組成的原子的氣體電離，在局部形成等離子體，由于等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在硅電池片上沉積出所期望的薄膜。

鏈?zhǔn)缴襄兡ECVD工藝腔室中，將硅電池片放置在沉積槽內(nèi)，氫化硅(SiH4)和氨氣(NH3)在等離子狀態(tài)下，在硅電池片的表面形成氮化硅(SiN)膜，增強(qiáng)了硅電池片對(duì)太陽(yáng)光線的吸收，減少了反射。從而，在一定程度上提高了硅電池片將光能轉(zhuǎn)換為電能的轉(zhuǎn)換效率。

目前，沉積槽一般采用不銹鋼板壓制成型，不作表面處理，直接將其應(yīng)用于鍍膜中。在硅電池片表面鍍膜的過(guò)程中，氮化硅不可避免的會(huì)沉積到沉積槽表面，在沉積槽表面形成氮化硅粉末。由于沉積槽表面未作任何處理，其表面的粗糙度較低，且不銹鋼的吸附能力也較低，使得氮化硅粉末沉積的較多時(shí)較易脫離沉積槽并掉落到硅電池片表面，嚴(yán)重影響了鍍膜的質(zhì)量，最終降低了硅電池片將光能轉(zhuǎn)換為電能的轉(zhuǎn)換效率。

綜上所述，如何減少氮化硅對(duì)硅電池片鍍膜質(zhì)量的影響，進(jìn)而提高硅電池片將光能轉(zhuǎn)換為電能的轉(zhuǎn)換效率，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種PECVD沉積槽，提高了PECVD沉積槽頂面的粗糙度和吸附能力，使得沉積在PECVD沉積槽頂面的氮化硅量較難脫落，進(jìn)而減小了氮化硅對(duì)硅電池片鍍膜質(zhì)量的影響，提高了硅電池片將光能轉(zhuǎn)換為電能的轉(zhuǎn)換效率。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種PECVD沉積槽，包括：PECVD沉積槽本體，覆蓋于所述PECVD沉積槽本體頂面的噴砂層和覆蓋于所述噴砂層頂面的鍍鋁層。

優(yōu)選的，上述PECVD沉積槽中，所述噴砂層的粗糙度不小于800μm。

優(yōu)選的，上述PECVD沉積槽中，所述鍍鋁層的粗糙度不小于800μm。

優(yōu)選的，上述PECVD沉積槽中，所述鍍鋁層的厚度在2-5μm之間。

優(yōu)選的，上述PECVD沉積槽中，所述PECVD沉積槽本體為316不銹鋼板槽。

優(yōu)選的，上述PECVD沉積槽中，所述PECVD沉積槽本體的厚度為1.2mm。

本實(shí)用新型提供的PECVD沉積槽，包括：PECVD沉積槽本體，覆蓋于PECVD沉積槽本體頂面的噴砂層和覆蓋于噴砂層頂面的鍍鋁層。上述PECVD沉積槽，通過(guò)噴砂層提高了該P(yáng)ECVD沉積槽頂面的粗糙度，鍍鋁層增強(qiáng)了PECVD沉積槽頂面的吸附能力，使得沉積在PECVD沉積槽頂面的氮化硅較難脫離PECVD沉積槽頂面，減少了脫離PECVD沉積槽的氮化硅量，即減少了落在硅電池片上的氮化硅量，進(jìn)而減小了氮化硅對(duì)硅電池片鍍膜質(zhì)量的影響，提高了硅電池片將光能轉(zhuǎn)換為電能的轉(zhuǎn)換效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的PECVD沉積槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中A部分的放大結(jié)構(gòu)示意圖。

上圖1-圖2中：

PECVD沉積槽本體1、噴砂層2、鍍鋁層3。

具體實(shí)施方式

為了引用和清楚起見(jiàn)，現(xiàn)在將本專利中涉及到的技術(shù)名詞解釋如下：