[實用新型]刻蝕電極機中的下電極裝置

有效

• 申請號: 201220156300.5
• 申請日: 2012-04-14
• 公開（公告）號: CN202816864U
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 游利
• 申請（專利權）人: 靖江先鋒半導體科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 靖江市靖泰專利事務所 32219
• 代理人: 陸平

技術領域：

本實用新型涉及一種半導體介質刻蝕機，尤其涉及刻蝕電極機中的下電極裝置。

背景技術：

電介質刻蝕機是半導體芯片加工的關鍵設備，而電介質刻蝕機中實現晶圓刻蝕功能的是上、下兩個電極組成的電極裝置。其中上電極接1000V左右的正電，實現對等離子刻蝕氣體的分配和控制功能，下電極與大地連接，也稱為負極。上、下兩電極間形成高壓電場對通過上電極的等離子工作氣體進行加速，經加速后的工作氣體對放置在下電極上的晶圓進行高速轟擊，從而產生刻蝕作用。為了實現所述的工作原理，要求下電極具有對晶圓片吸附能力、有絕緣性，同時對刻蝕過程產生的熱量有冷卻的功能。?

發明內容?：

本實用新型的目的是提供一種具有對晶圓片吸附能力、有絕緣性，同時對刻蝕過程產生的熱量有冷卻功能的刻蝕電極機中的下電極裝置。

本實用新型的目的是這樣實現的，刻蝕電極機中的下電極裝置，包括承載盤、支撐座，其特征在于：所述的支撐座上面設置有承載盤，承載盤與支撐座按對應位置焊接為一體。

本實用新型所述的承載盤包括冷卻液入口、溝槽、冷卻液出口、真空通道、頂針孔、密封圈槽、晶圓片放置平臺。

本實用新型所述的承載盤與支撐座焊接時，確保承載盤上的冷卻液入口及冷卻液出口與支撐座上的冷卻液入口及冷卻液出口對應在相同位置上。

本實用新型所述的承載盤的外徑尺寸與支撐座的外徑尺寸相同。

本實用新型結構簡單，操作方便，具有對晶圓片吸附能力、有絕緣性，同時對刻蝕過程產生的熱量有冷卻功能，能夠保證加工質量，提高工作效率。

附圖說明：

圖1是本實用新型的結構示意圖。

圖2是本實用新型的承載盤主視圖。

圖3是圖2中A-A剖視圖。

圖4是本實用新型的支撐座主視圖。

圖中1、承載盤，??11、溝槽，??12、真空通道，?13、頂針孔，?14、冷卻液出口，?15、冷卻液入口，?16、密封圈槽，??17、晶圓片放置平臺，?2、支撐座。????

具體實施方式：

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

參照附圖，刻蝕電極機中的下電極裝置，包括承載盤1、支撐座2，其特征在于：所述的支撐座2上面設置有承載盤1，承載盤1與支撐座2按對應位置焊接為一體。所述的承載盤1包括冷卻液入口15、溝槽11、冷卻液出口14、真空通道12、頂針孔13、密封圈槽16、晶圓片放置平臺17。所述的承載盤1與支撐座2焊接時，確保承載盤1上的冷卻液入口15及冷卻液出口14與支撐座2上的冷卻液入口15及冷卻液出口14對應在相同位置上。所述的承載盤1的外徑尺寸與支撐座2的外徑尺寸相同。具體實施時，對本實用新型外側進行硬質陽極氧化處理，形成一層氧化層使下電極與工作環境保持絕緣；對晶圓片放置平臺17表面進行噴砂處理，達到較粗糙的表面光潔度，組裝完成后。將需要刻蝕的晶圓片放置在平臺17上，通過真空通道12抽取真空，經噴砂處理成粗糙表面的平臺17對晶圓片產生吸附力，通過頂針的升起和下落可移動晶圓片，上電極接1000V正電荷，下電極不帶電，兩電極間形成電場，等離子氣體通上電極后在電場中被加速，轟擊平臺17上的晶圓片，達到刻蝕的目的。刻蝕過程中，冷卻液通過冷卻液入口15進入曲折的溝槽結構，沿溝槽11路徑通過冷卻液出口14流出，帶走工作過程中產生的熱量。