[實用新型]單晶硅太陽能電池組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220136944.8 | 申請日: | 2012-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN202503010U | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 夏天;柏祎山 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢興隆源太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 鄧寅杰 |
| 地址: | 430040 湖北省武漢市東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單晶硅 太陽能電池 組件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種單晶硅太陽能電池組件。??????????
背景技術(shù)
太陽能電池工藝中,表面減反膜的工藝是很重要的一步,它直接決定了太陽能電池能吸收了多少太陽光。傳統(tǒng)的太陽能電池表面減反膜是采用鍍一層氮化硅薄膜,氮化硅作為表面減反膜的特點(diǎn)是,工藝簡單,易于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),成本較低,但缺點(diǎn)也很明顯是:氮化硅作為減反膜在電池和組件上,氮化硅薄膜的折射率與厚度無法同時匹配到最佳值,導(dǎo)致組件端在封裝后存在一定的封裝損失;同時由于主要考慮氮化硅薄膜的光學(xué)性能,因此在鈍化效果上也無法達(dá)到最佳,造成電池效率一定程度上的損失;而且傳統(tǒng)的氮化硅減反膜在折射率與厚度的設(shè)計上,從電池角度與組件角度分別考慮存在較大的差異。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的發(fā)明目的是:提供一種能有效降低太陽電池表面反射率,提高鈍化效果且封裝損失小的單晶硅太陽能電池組件。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:單晶硅太陽能電池組件,其包括太陽能單晶電池片,其不同之處在于,所述太陽能單晶電池片的上表面鍍有折射率為2.6~3.0的第一層氮化硅減反射膜,第一層氮化硅減反射膜表面鍍有折射率為1.9~2.4的第二層氮化硅減反射膜,所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為30~44納米,所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為35~70納米,第二層氮化硅減反射膜向上依次設(shè)置有EVA膠膜、鋼化玻璃,太陽能單晶電池片的底部依次設(shè)置有EVA膠膜、背板。
本實用新型的有益效果是,本實用新型采用了雙層氮化硅減反射膜設(shè)計,提高了太陽能電池表面鈍化效果,降低太陽能電池表面反射率。第一層氮化硅減反射膜在工藝設(shè)計時可以充分考慮鈍化效果,使太陽電池的表面鈍化效果提高,從而提升電池效率。第二層氮化硅減反射膜的折射率與組件封裝材料的折射率接近,所以封裝后不會因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失。
附圖說明
圖1是本實用新型一種單晶硅太陽能電池組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
如圖1所示,單晶硅太陽能電池組件,包括太陽能單晶電池片1,所述太陽能單晶電池片1的上表面鍍有折射率為2.6~3.0的第一層氮化硅減反射膜2,第一層氮化硅減反射膜2表面鍍有折射率為1.9~2.4的第二層氮化硅減反射膜3,所述第一層氮化硅減反射膜2的厚度為30~44納米,所述第二層氮化硅減反射膜3的厚度為35~70納米,第二層氮化硅減反射膜3向上依次設(shè)置有EVA膠膜4、鋼化玻璃5,太陽能單晶電池片1的底部依次設(shè)置有EVA膠膜4、背板6。
?本實用新型未公開的具體細(xì)節(jié)屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識。在不脫離其精神與范圍的情況下,可以與上述特定的實施例的解釋與說明不同的方式實施。因此這里所公開的具體細(xì)節(jié)不應(yīng)理解為對本實用新型的限制,其只不過是向所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員傳授本實用新型的各種使用方式的代表性的基本方式。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢興隆源太陽能科技有限公司,未經(jīng)武漢興隆源太陽能科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220136944.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





