[實用新型]單晶硅太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201220136944.8 | 申請日: | 2012-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN202503010U | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 夏天;柏祎山 | 申請(專利權)人: | 武漢興隆源太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 鄧寅杰 |
| 地址: | 430040 湖北省武漢市東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單晶硅 太陽能電池 組件 | ||
【權利要求書】:
1.單晶硅太陽能電池組件,其包括太陽能單晶電池片,其特征在于,所述太陽能單晶電池片的上表面鍍有折射率為2.6~3.0的第一層氮化硅減反射膜,第一層氮化硅減反射膜表面鍍有折射率為1.9~2.4的第二層氮化硅減反射膜,所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為30~44納米,所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為35~70納米,第二層氮化硅減反射膜向上依次設置有EVA膠膜、鋼化玻璃,太陽能單晶電池片的底部依次設置有EVA膠膜、背板。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





