[實用新型]一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220124813.8
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN202523718U
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂建國;張杰;李喜峰;葉志鎮(zhèn);張焱;吳萍
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

薄膜晶體管技術(shù)已是現(xiàn)今平板顯示的主導(dǎo)技術(shù)。在平板顯示器件中引入薄膜晶體管（TFT）開關(guān)元件和存貯電容，可大大提高顯示器件性能，實現(xiàn)大容量、高清晰度和全彩色的視頻顯示。目前，應(yīng)用于顯示器中的薄膜晶體管自下而上依次有柵極、絕緣層、有源層、在有源層上覆蓋相隔的源電極和漏電極，柵極均為矩形平面（如圖1），薄膜晶體管溝道的長度L是通過源電極和漏電極之間相隔的距離來界定，溝道的寬度W是通過器件溝道處源電極或漏電極的寬度來界定的。源、漏電極圖形是通過一步光刻工藝來實現(xiàn)的，即溝道的長度和寬度也是通過這一步光刻工藝來確定的，隨著人們對顯示器分辨率要求的提高，薄膜晶體管的集成度要求相應(yīng)提高，器件尺寸包括其溝道的長度和寬度也要求成比例縮小，然而通過光刻源、漏電極圖形來控制溝道長度和寬度同時成比例縮小，將增加光刻工藝的難度，一旦這步工藝出現(xiàn)問題，將嚴(yán)重影響器件的成品率。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種有利于提高器件成品率的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。

本實用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，自下而上依次有柵極、絕緣層、有源層、在有源層上覆蓋有相隔的源電極和漏電極，器件溝道的長度等于源電極和漏電極之間相隔的距離，柵極為“n”型形狀，器件溝道的寬度等于“n”型底邊的邊寬，溝道處源電極和漏電極的寬度大于“n”型底邊的寬度。

本實用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，由于采用“n”型形狀的柵極，由“n”型底邊的邊寬來界定器件溝道的寬度，柵極和源、漏電極圖案通過兩步光刻完成，克服了由光刻源、漏電極圖案同時控制溝道長度和寬度的工藝難度，有利于提高器件成品率。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖2本實用新型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖3為圖2的A-A剖面圖。

圖中，1為柵極。2為絕緣層，3為有源層，4為源極，5為漏極，L為溝道長度，W為溝道寬度。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖進(jìn)一步說明本實用新型。

參照圖2和圖3，本實用新型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，自下而上依次有柵極1、絕緣層2、有源層3、在有源層3上覆蓋有相隔的源電極4和漏電極5，柵極1為“n”型形狀，器件溝道的寬度W等于“n”型底邊的邊寬，即器件溝道的寬度W由“n”型底邊的邊寬來界定，溝道處源電極4和漏電極5的寬度大于“n”型底邊的寬度，器件溝道的長度L等于源電極4和漏電極5之間相隔的距離，即器件溝道的長度L由源電極4和漏電極5之間距離來界定。