[實用新型]成像裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220117378.6
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN202713478U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐辰
• 申請（專利權(quán)）人: 徐辰
• 主分類號: H04N5/243
• 分類號: H04N5/243;H04N5/355;H04N5/374
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;項榮

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及成像領(lǐng)域，特別地涉及一種成像裝置。?

背景技術(shù)

對于圖像質(zhì)量的要求一直以來不斷地提高。獲得高質(zhì)量的圖像離不開好的成像裝置。一般而言，從兩個方面進行考察可以成像裝置的好壞：一個是像素集成度，也就是獲得圖像的分辨率；另一個是獲得圖像的表現(xiàn)力。目前，圖像表現(xiàn)力方面得到了更多的關(guān)注。特別是不借助結(jié)構(gòu)復(fù)雜的硬件而獲取高分辨率高質(zhì)量的圖像更是成為目前成像領(lǐng)域研發(fā)工作的努力方向。例如，在如卡片式相機的便攜式成像裝置上獲取高分辨率高質(zhì)量的照片。?

成像裝置一般具有像素陣列。像素陣列中的每一個像素包括感光器件，例如光電二極管、光開關(guān)等。每個感光器件接收光的能力不同。這種能力的不同反映到成像裝置上使成像裝置具有不同的光動態(tài)范圍，即成像裝置可接收光的范圍。當(dāng)成像裝置的光動態(tài)范圍小于外界光強度的變化時，外界的景象就無法完全反映到所獲取的圖像中。本領(lǐng)域中一直希望能夠有一種簡便的方式能夠解決這一問題。?

實用新型內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本實用新型的一個方面，提出一種成像裝置，包括：像素陣列，其包括排列成行和列的多個像素；所述像素陣列包括至少一組分裂像素；所述分裂像素具有相同顏色且彼此相鄰；以及控制電路，控制所述像素陣列，且所述控制電路控制所述至少一組分裂像素中每個分裂像素的曝光時間。?

如上所述的成像裝置，其中：所述分裂像素是矩形的。?

如上所述的成像裝置，其中：所述像素陣列包括相鄰的第一組分裂像素和第二組分裂像素，其中兩個相鄰的所述分裂像素之間的距離小于所述第一組分裂像?素和所述第二組分裂像素之間的距離。?

如上所述的成像裝置，其中：所述分裂像素包括微距鏡和光電二極管，所述微距鏡和光電二極管設(shè)置在偏向分裂像素的一側(cè)。?

如上所述的成像裝置，其中：所述分裂像素包括微距鏡層、色彩濾鏡層、互連層和半導(dǎo)體層，其中所述色彩濾鏡層在所述微距鏡層和所述互連層之間，所述半導(dǎo)體層中所述互連層之下。?

如上所述的成像裝置，其中：所述分裂像素包括半導(dǎo)體層中的光電二極管，其中兩個相鄰的所述分裂像素之間具有P阱和淺溝道隔離。?

如上所述的成像裝置，其中：所述P阱經(jīng)三次P阱注入形成，所述三次P阱注入的能量分別為大約150-260KeV、大約300-400KeV和大約500KeV。?

如上所述的成像裝置，其中：所述淺溝道隔離的寬度為大約0.1-0.3um，所述P阱的寬度為大約0.25-0.55um，所述P阱的深度為2-5um。?

根據(jù)本實用新型的另一個方面，提出一種成像裝置，包括：像素陣列，其包括排列成行和列的多個像素；所述像素陣列包括至少一組分裂像素；以及控制電路，控制所述像素陣列；其中，所述控制電路在第一曝光時間內(nèi)對所述至少一組分裂像素中的第一分裂像素曝光，得出第一圖像；所述控制電路在第二曝光時間內(nèi)對所述至少一組分裂像素中的第二分裂像素曝光，得出第二圖像；其中，所述控制電路進一步讀取所述第一圖像和所述第二圖像。?

根據(jù)本實用新型的另一個方面，提出一種成像裝置，包括：像素陣列，其包括排列成行和列的多個像素；所述像素陣列包括至少一組分裂像素；控制電路，控制所述像素陣列；其中，所述控制電路在第一曝光時間內(nèi)對所述至少一組分裂像素中的第一分裂像素曝光，得出第一圖像；所述控制電路在第二曝光時間內(nèi)對所述至少一組分裂像素中的第二分裂像素曝光，得出第二圖像；所述第一曝光時間不同于所述第二曝光時間；其中，所述控制電路進一步讀取所述第一圖像和所述第二圖像；以及圖像處理器，其組合所述第一圖像和所述第二圖像。?

本實用新型的成像裝置可以獲得的圖像具有比成像裝置本身更高的光動態(tài)范圍。?

附圖說明

圖1是表示了一種成像裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖；?

圖2是表示了一種代表性像素結(jié)構(gòu)的示意圖；?

圖3是表示了一種代表性像素結(jié)構(gòu)的示意版圖；?

圖4是根據(jù)本實用新型的一個實施例的成像裝置的像素陣列的示意圖?

圖5是根據(jù)本實用新型的一個實施例的成像方法的流程圖；?

圖6是根據(jù)本實用新型的一個實施例的像素區(qū)域結(jié)構(gòu)的示意圖；?

圖7是根據(jù)本實用新型的一個實施例的分裂像素的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖8是根據(jù)本實用新型的一個實施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖9是根據(jù)本實用新型的一個實施例的像素陣列的電路示意圖；?