[實用新型]成像裝置

有效

• 申請號: 201220117378.6
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN202713478U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 徐辰
• 申請（專利權）人: 徐辰
• 主分類號: H04N5/243
• 分類號: H04N5/243;H04N5/355;H04N5/374
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;項榮

1.一種成像裝置，其特征是，包括：

像素陣列，其包括排列成行和列的多個像素；所述像素陣列包括至少一組分裂像素；所述分裂像素具有相同顏色且彼此相鄰；以及

控制電路，控制所述像素陣列，且所述控制電路控制所述至少一組分裂像素中每個分裂像素的曝光時間。

2.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：所述分裂像素是矩形的。

3.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：所述像素陣列包括相鄰的第一組分裂像素和第二組分裂像素，其中兩個相鄰的所述分裂像素之間的距離小于所述第一組分裂像素和所述第二組分裂像素之間的距離。

4.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：所述分裂像素包括微距鏡和光電二極管，所述微距鏡和光電二極管設置在偏向分裂像素的一側。

5.根據權利要求1所述的成像裝置，其中：所述分裂像素包括微距鏡層、色彩濾鏡層、互連層和半導體層，其中所述色彩濾鏡層在所述微距鏡層和所述互連層之間，所述半導體層中所述互連層之下。

6.根據權利要求5所述的成像裝置，其中：所述分裂像素包括半導體層中的光電二極管，其中兩個相鄰的所述分裂像素之間具有P阱和淺溝道隔離。

7.根據權利要求6所述的成像裝置，其中：所述P阱經三次P阱注入形成，所述三次P阱注入的能量分別為大約150-260KeV、大約300-400KeV和大約500KeV。

8.根據權利要求7所述的成像裝置，其中：所述淺溝道隔離的寬度為大約0.1-0.3um，所述P阱的寬度為大約0.25-0.55um，所述P阱的深度為2-5um。

9.一種成像裝置，其特征是，包括：

像素陣列，其包括排列成行和列的多個像素；所述像素陣列包括至少一組分裂像素；以及

控制電路，控制所述像素陣列；其中，所述控制電路在第一曝光時間內對所述至少一組分裂像素中的第一分裂像素曝光，得出第一圖像；所述控制電路在第二曝光時間內對所述至少一組分裂像素中的第二分裂像素曝光，得出第二圖像；其中，所述控制電路進一步讀取所述第一圖像和所述第二圖像。?

10.一種成像裝置，其特征是，包括：

像素陣列，其包括排列成行和列的多個像素；所述像素陣列包括至少一組分裂像素；

控制電路，控制所述像素陣列；其中，所述控制電路在第一曝光時間內對所述至少一組分裂像素中的第一分裂像素曝光，得出第一圖像；所述控制電路在第二曝光時間內對所述至少一組分裂像素中的第二分裂像素曝光，得出第二圖像；所述第一曝光時間不同于所述第二曝光時間；其中，所述控制電路進一步讀取所述第一圖像和所述第二圖像；以及

圖像處理器，其組合所述第一圖像和所述第二圖像。?