[實用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201220115332.0
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN202473923U
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 孔祥春
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;姜精斌

技術領域

本實用新型涉及顯示領域，特別是指一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占了主導地位。

現有薄膜晶體管液晶顯示器的半透半反式陣列基板一般采用5次掩膜工藝制作，在陣列基板的生產過程中，使用掩膜板的次數越少，材料利用的就越充分，就能有效的降低生產周期與成本。另外，現有半透半反式陣列基板會出現反射區和透射區亮度不均的現象。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種陣列基板及顯示裝置，能夠提高陣列基板的反射區與透射區的亮度均勻性。

為解決上述技術問題，本實用新型的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板為半透半反式陣列基板；所述陣列基板的鈍化層包括至少兩個絕緣層，且相鄰的兩個絕緣層具有不同的光折射率。

進一步地，所述陣列基板的鈍化層包括至少一個無機絕緣層和至少一個有機絕緣層，且所述有機絕緣層的相鄰絕緣層為無機絕緣層。

進一步地，所述鈍化層為包括無機絕緣層-有機絕緣層-無機絕緣層的鈍化層結構、或者為包括無機絕緣層-有機絕緣層的鈍化層結構。

進一步地，所述陣列基板包括：

基板；

分布在所述基板上的由第一金屬層構成的柵極掃描線、數據信號線和柵電極；

分布在形成有所述柵極掃描線、數據信號線和柵電極的基板上的柵絕緣層，所述柵絕緣層上分布有由半導體層構成的硅島圖案和由歐姆接觸層構成的溝道，所述柵絕緣層、半導體層和歐姆接觸層包括與所述數據信號線相連接的數據連接線過孔；

分布在形成有所述柵絕緣層、半導體層和歐姆接觸層的基板上、由第二金屬層構成的數據信號線連接線、漏電極和與所述數據信號線連接線連接的源電極，所述數據信號線連接線通過所述數據連接線過孔與所述數據信號線連接；

分布在形成有所述數據信號線連接線、漏電極和源電極的基板上的鈍化層，所述鈍化層包括與所述漏電極相連的過孔；

分布在所述鈍化層上的由透明導電層構成、通過所述過孔與所述漏電極連接的像素電極。

進一步地，所述數據信號線在與所述柵極掃描線相交的位置斷裂，并通過所述數據連接線過孔與所述數據信號線連接線相連接，形成完整連續的數據信號線。

進一步地，所述半透半反式陣列基板的反射電極與所述數據信號線連接線、漏電極和源電極同層制作。

進一步地，所述有機絕緣層為采用透光散射材料。

進一步地，所述鈍化層的厚度為至

進一步地，當所述陣列基板的反射區占所述陣列基板的面積比小于10％時，所述無機絕緣層的厚度為至所述有機絕緣層的厚度為1.5μm至3μm；當所述陣列基板的反射區占所述陣列基板的面積比在10％到50％之間時，所述無機絕緣層的厚度為至所述有機絕緣層的厚度為2μm至6μm。

本實用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本實用新型的實施例具有以下有益效果：

上述方案中，陣列基板的鈍化層包含至少兩個絕緣層且相鄰絕緣層的光折射率不同，利用多個絕緣層之間的層界面對反射光線進行不同角度的折射，對進入鈍化層的非垂直角度的光線進行角度的調整，以更大的光強通過液晶盒上部的上偏光片，減小由于反射區反射光線入射角度的原因在上偏光片和黑矩陣上的光損失，最大限度減小陣列基板反射區與透射區的光強差，提高陣列基板的反射區與透射區的亮度均勻性。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例的陣列基板A---A’部分第一次掩膜工藝完成后的截面示意圖；

圖2是本實用新型實施例的陣列基板A---A’與B---B’第二次掩膜工藝中涂敷半導體層與歐姆接觸層后的截面示意圖；

圖3是本實用新型實施例的陣列基板A---A’與B---B’第二次掩膜工藝后的截面示意圖；

圖4是本實用新型實施例的陣列基板A---A’與B---B’經第三次掩膜工藝形成源電極、漏電極與反射電極后的截面示意圖；

圖5是本實用新型實施例的陣列基板A---A’與B---B’第四次掩膜工藝后的截面示意圖；

圖6是本實用新型實施例的陣列基板A---A’與B---B’第四次掩膜工藝完成剝離工藝后的截面示意圖；

圖7是本實用新型實施例的陣列基板的平面圖。

附圖標記