[實用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220115332.0
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN202473923U
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孔祥春
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;姜精斌

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為半透半反式陣列基板；所述陣列基板的鈍化層包括至少兩個絕緣層，且相鄰的兩個絕緣層具有不同的光折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層包括至少一個無機絕緣層和至少一個有機絕緣層，且所述有機絕緣層的相鄰絕緣層為無機絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層為包括無機絕緣層-有機絕緣層-無機絕緣層的鈍化層結(jié)構(gòu)、或者為包括無機絕緣層-有機絕緣層的鈍化層結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

分布在所述基板上的由第一金屬層構(gòu)成的柵極掃描線、數(shù)據(jù)信號線和柵電極；

分布在形成有所述柵極掃描線、數(shù)據(jù)信號線和柵電極的基板上的柵絕緣層，所述柵絕緣層上分布有由半導(dǎo)體層構(gòu)成的硅島圖案和由歐姆接觸層構(gòu)成的溝道，所述柵絕緣層、半導(dǎo)體層和歐姆接觸層包括與所述數(shù)據(jù)信號線相連接的數(shù)據(jù)連接線過孔；

分布在形成有所述柵絕緣層、半導(dǎo)體層和歐姆接觸層的基板上、由第二金屬層構(gòu)成的數(shù)據(jù)信號線連接線、漏電極和與所述數(shù)據(jù)信號線連接線連接的源電極，所述數(shù)據(jù)信號線連接線通過所述數(shù)據(jù)連接線過孔與所述數(shù)據(jù)信號線連接；

分布在形成有所述數(shù)據(jù)信號線連接線、漏電極和源電極的基板上的鈍化層，所述鈍化層包括與所述漏電極相連的過孔；

分布在所述鈍化層上的由透明導(dǎo)電層構(gòu)成、通過所述過孔與所述漏電極連接的像素電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

所述數(shù)據(jù)信號線在與所述柵極掃描線相交的位置斷裂，并通過所述數(shù)據(jù)連接線過孔與所述數(shù)據(jù)信號線連接線相連接，形成完整連續(xù)的數(shù)據(jù)信號線。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述半透半反式陣列基板的反射電極與所述數(shù)據(jù)信號線連接線、漏電極和源電極同層制作。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述有機絕緣層為采用透光散射材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層的厚度為至

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，

當所述陣列基板的反射區(qū)占所述陣列基板的面積比小于10％時，所述無機絕緣層的厚度為至所述有機絕緣層的厚度為1.5μm至3μm；

當所述陣列基板的反射區(qū)占所述陣列基板的面積比在10％到50％之間時，所述無機絕緣層的厚度為至所述有機絕緣層的厚度為2μm至6μm。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項所述的陣列基板。