[實用新型]恒定電流源

有效

• 申請號: 201220108967.8
• 申請日: 2012-03-21
• 公開（公告）號: CN202502429U
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 戴忠偉
• 申請（專利權）人: 廣芯電子技術(上海)有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 胡美強

1.一種恒定電流源，包括一第一電流鏡，其中所述第一電流鏡包括一電流輸入端、一第一電流輸出端和一第二電流輸出端；

其特征在于，所述恒定電流源還包括一電流維持單元，其中所述電流維持單元包括一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管和一第四晶體管；

其中所述第一晶體管和第三晶體管的導電通路依次串接于所述第一電流輸出端和一第一參考電勢端子之間，所述第二晶體管和第四晶體管的導電通路依次串接于所述第二電流輸出端和所述第一參考電勢端子之間；

所述第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極與所述第一電流輸出端電連接，所述第三晶體管的柵極和第四晶體管的柵極與所述第二電流輸出端電連接；所述第二晶體管的漏極還與一外部負載電連接。

2.如權利要求1所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一電流鏡包括一第五晶體管、一第六晶體管和一第七晶體管，其中所述第五晶體管的導電通路串接于所述電流輸入端和一第二參考電勢端子之間，所述第五晶體管的柵極和漏極電連接，所述第六晶體管的導電通路串接于所述第一電流輸出端和所述第二參考電勢端子之間，所述第七晶體管的導電通路串接于所述第二電流輸出端和所述第二參考電勢端子之間，所述第六晶體管的柵極和第七晶體管的柵極與所述第五晶體管的柵極電連接。

3.如權利要求2所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管和第七晶體管均為MOSFET管。

4.如權利要求3所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管均為PMOS管，所述第五晶體管、第六晶體管和第七晶體管均為NMOS管。

5.如權利要求1-4中任一項所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一參考電勢端子具有一恒定電壓。

6.如權利要求2-4中任一項所述的恒定電流源，其特征在于，所述第二參考電勢端子接地。

7.如權利要求2-4中任一項所述的恒定電流源，其特征在于，所述第五晶體管、第六晶體管和第七晶體管的長寬比均相同。

8.如權利要求1-4中任一項所述的恒定電流源，其特征在于，第三晶體管和第四晶體管的長寬比相同。

9.如權利要求1-4中任一項所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一晶體管的長寬比與第二晶體管的長寬比的比值大于等于1。

10.一種恒定電流源，包括一第一電流鏡，其中所述第一電流鏡包括一電流輸入端和一電流輸出端；

其特征在于，所述恒定電流源還包括一電流維持單元，其中所述電流維持單元包括一第一晶體管、一第二晶體管、一第三晶體管和一第四晶體管；

其中所述第一晶體管和第三晶體管的導電通路依次串接于所述電流輸出端和一第一參考電勢端子之間，所述第二晶體管和第四晶體管的導電通路依次串接于一外部負載和所述第一參考電勢端子之間；

所述第一晶體管的柵極和第二晶體管的柵極與一第二參考電勢端子電連接，所述第三晶體管的柵極和第四晶體管的柵極與一第三參考電勢端子電連接。

11.如權利要求10所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一電流鏡包括一第五晶體管和一第六晶體管，其中所述第五晶體管的導電通路串接于所述電流輸入端和一第四參考電勢端子之間，所述第五晶體管的柵極和漏極電連接，所述第六晶體管的導電通路串接于所述電流輸出端和所述第四參考電勢端子之間，所述第六晶體管的柵極與所述第五晶體管的柵極電連接。

12.如權利要求11所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管均為MOSFET管。

13.如權利要求12所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管均為PMOS管，所述第五晶體管和第六晶體管均為NMOS管。

14.如權利要求10-13中任一項所述的恒定電流源，其特征在于，所述第一參考電勢端子、第二參考電勢端子和第三參考電勢端子分別具有一恒定電壓。

15.如權利要求11-13中任一項所述的恒定電流源，其特征在于，所述第四參考電勢端子接地。