[實用新型]樹脂包封的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220097612.3
• 申請日: 2012-03-15
• 公開（公告）號: CN202816903U
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長崎洋平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/16
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

相關(guān)申請的交叉引用?

本申請基于并要求在2011年9月7日提交的在先的日本專利申請2011-195056的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部內(nèi)容并入到本文中。?

技術(shù)領(lǐng)域

本文中描述的示例性實施例一般涉及樹脂包封的（resin-encapsulated）半導(dǎo)體器件。?

背景技術(shù)

在樹脂包封的半導(dǎo)體器件中，在模樹脂（mold?resin）與半導(dǎo)體芯片之間存在大的熱膨脹系數(shù)差異。出于該原因，由于外部環(huán)境改變或通電而產(chǎn)生的熱，會誘導(dǎo)熱應(yīng)力，并且該應(yīng)力從模樹脂施加到半導(dǎo)體芯片。?

上述應(yīng)力主要被施加到半導(dǎo)體芯片的拐角部分。?

這樣的應(yīng)力向半導(dǎo)體芯片的施加會導(dǎo)致以下問題：半導(dǎo)體芯片的上層金屬會具有諸如金屬斷裂或剝脫的問題。?

實用新型內(nèi)容

本申請的一個目的是解決如下問題：半導(dǎo)體芯片的上層金屬會具有由從模樹脂施加到半導(dǎo)體芯片的應(yīng)力引起的諸如金屬斷裂或剝脫的問題。?

根據(jù)一個實施例，一種樹脂包封的半導(dǎo)體器件包括基底、設(shè)置在所述基底上的半導(dǎo)體芯片、設(shè)置在所述基底上且在所述半導(dǎo)體芯片外側(cè)的應(yīng)力緩和構(gòu)件，每個所述應(yīng)力緩和構(gòu)件緩和施加到所述半導(dǎo)體芯片的應(yīng)力。?

根據(jù)實施例，在半導(dǎo)體芯片的所有拐角外側(cè)設(shè)置應(yīng)力緩和構(gòu)件能夠緩?和從模樹脂施加到半導(dǎo)體芯片的拐角的應(yīng)力。這使得半導(dǎo)體芯片的上層金屬較不可能具有諸如斷裂或剝脫的問題。?

附圖說明

圖1為示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件的配置實例的示意性平面圖；?

圖2為施加到根據(jù)實施例的半導(dǎo)體芯片的應(yīng)力的說明圖；?

圖3為示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件中的應(yīng)力分布的示意性截面圖；?

圖4為示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件的應(yīng)力緩和構(gòu)件的形狀的另一實例的示意性平面圖；?

圖5為示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件的應(yīng)力緩和構(gòu)件的形狀的又一實例的示意性平面圖；以及?

圖6為示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件的應(yīng)力緩和構(gòu)件的形狀的再一實例的示意性平面圖。?

具體實施方式

下面將參考附圖描述實施例。?

注意，在附圖中使用相同的參考標(biāo)號表示相同或?qū)?yīng)的部分，將不再重復(fù)對該相同或相應(yīng)部分的描述。?

圖1為示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件的配置實例的示意性平面圖。該實施例的半導(dǎo)體器件被模樹脂包封。圖1示出了在樹脂包封之前的半導(dǎo)體器件。?

該實施例的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體芯片1、其上設(shè)置有半導(dǎo)體芯片1的基底2、以及應(yīng)力緩和構(gòu)件3，該應(yīng)力緩和構(gòu)件3被分別設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1的所有拐角外側(cè)的基底2上并被配置為緩和在樹脂包封后從模樹脂施加到半導(dǎo)體芯片1的應(yīng)力。?

基底2在引線框架情況下為底座（bed），在GBA（球柵陣列）情況下為布線板，等等。?

應(yīng)力緩和構(gòu)件3被設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1的所有拐角的外側(cè)，而應(yīng)力緩和構(gòu)件3的每個對角對在半導(dǎo)體芯片1的對角線的延長線上彼此相對。應(yīng)力緩和構(gòu)件3分別沿半導(dǎo)體芯片1的兩個鄰接的邊（adjacent?side）平行地延伸。此外，延伸部分并不限制于平行。在每對延伸部分之間可設(shè)有角度。同時，應(yīng)力緩和構(gòu)件3被設(shè)置為垂直于基底2。以該方式，可以抑制由模樹脂因膨脹等而位移所造成的對半導(dǎo)體芯片1的應(yīng)力施加。此外，從幾乎完全覆蓋拐角的觀點，應(yīng)力緩和構(gòu)件3可被設(shè)置為較靠近半導(dǎo)體芯片1的每個拐角。?

在基底2為引線框架的底座的情況下，應(yīng)力緩和構(gòu)件3可以通過在引線框架的制造過程期間的壓制成形而形成。在基底2為布線板的情況下，應(yīng)力緩和構(gòu)件3可被預(yù)先制造并以與半導(dǎo)體芯片1相同的方式通過粘合劑而被安裝到基底2上。此外，基底2中的在其上設(shè)置半導(dǎo)體芯片1的部分的高度可以不同于基底2中的在其上設(shè)置應(yīng)力緩和構(gòu)件3的另一部分的高度。?

圖2示出了在樹脂包封之后應(yīng)力如何從模樹脂施加到半導(dǎo)體芯片1。?

從模樹脂施加的應(yīng)力S集中在半導(dǎo)體芯片1的拐角上。此外，應(yīng)力S的施加方向為半導(dǎo)體芯片1的對角線的方向。?

該實施例具有在半導(dǎo)體芯片1的對角線的延長線上的應(yīng)力緩和構(gòu)件3，從而可以減小對半導(dǎo)體芯片1施加的應(yīng)力。?

圖3為該實施例的半導(dǎo)體器件的拐角附近的局部截面圖。?

在這里，每個應(yīng)力緩和構(gòu)件3被形成為所具有的高度h1大于半導(dǎo)體芯片1的高度h2。?