[實(shí)用新型]一種高密度、高魯棒性的亞閾值存儲(chǔ)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220051620.4
• 申請(qǐng)日: 2012-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN202549309U
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柏娜;吳秀龍;譚守標(biāo);李正平;孟堅(jiān);陳軍寧;徐超;代月花;仇名強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C11/40
• 分類號(hào): G11C11/40
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 奚幼堅(jiān)

1.一種高密度、高魯棒性的亞閾值存儲(chǔ)電路，其特征是，包括四個(gè)PMOS管P0~P3，六個(gè)NMOS管N0~N5，其中PMOS管P0與NMOS管N0,?PMOS管P1與NMOS管N1以及PMOS管P2與NMOS管N2分別構(gòu)成第一、第二、第三反相器，第一反相器與第二反相器與NMOS管N4組成交叉耦合的反相器鏈，電路的連接關(guān)系如下：

第一反相器中，PMOS管P0的襯底與柵端連接在一起并與NMOS管N0的柵端連接后作為第一反相器的輸入端，PMOS管P0的漏端與NMOS管N0的漏端連接后作為第一反相器的輸出端，PMOS管P0的源端連接電源VDD，NMOS管N0的襯底與源端連接在一起并接地VSS；?

第二反相器中，PMOS管P1的襯底與柵端連接在一起并與NMOS管N1的柵端連接后作為第二反相器的輸入端，PMOS管P1的漏端與NMOS管N1的漏端連接后作為第二反相器的輸出端與第一反相器的輸入端連接，PMOS管P1的源端連接電源VDD，NMOS管N1的襯底與源端連接在一起并接地VSS；?

第三反相器中，PMOS管P2的襯底與柵端連接在一起并與NMOS管N2的柵端連接后作為第三反相器的輸入端與第一個(gè)反相器的輸出端連接，PMOS管P2的漏端與NMOS管N2的漏端連接作后為第三反相器的輸出端，PMOS管P2的源端連接電源VDD，NMOS管N2的襯底與源端連接在一起并接地VSS；

第一反相器的輸出端連接NMOS管N4的源端，第二反相器的輸入端連接NMOS管N4的漏端，NMOS管N4的襯底與柵端連接在一起在一起并連接寫字線的非???????????????????????????????????????????????，PMOS管P3與NMOS管N3構(gòu)成傳輸門，PMOS管P3的漏端與NMOS管N3的漏端連接后作為傳輸門的輸入端與寫位線WBL連接，PMOS管P3的襯底與柵端連接在一起并連接寫字線的非，NMOS管N3的襯底與柵端連接在一起并連接寫字線WWL，PMOS管P3的源端與NMOS管N3的源端連接后作為傳輸門的輸出端與第二反相器的輸入端連接，第三反相器的輸出端連接NMOS管N5的源端，NMOS管N5的襯底與柵端連接在一起與讀字線RWL連接，NMOS管N5的漏端連接讀位線RBL。