[實用新型]一種磁控鍍膜機解除靶中毒裝置

有效

• 申請號: 201220037477.3
• 申請日: 2012-02-07
• 公開（公告）號: CN202830157U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 潘振強
• 申請（專利權）人: 肇慶市振華真空機械有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 李永慶

技術領域

本實用新型涉及機械生產設備技術領域，具體涉及一種磁控鍍膜機解除靶中毒裝置。?

技術背景

磁控靶中毒長期存在于磁控鍍膜工藝中，其成因包括：正離子堆積——靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產生冷場致弧光放電打弧，使陰極濺射無法進行下去。陽極消失——靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現象。?

發明內容

本實用新型目的是針對本實用新型的目的是針對現有技術的不足，提供一種結構簡單，可操作性強，調整方便，使用效果明顯的解除靶中毒裝置。?

本實用新型的目的通過以下技術方案實現：?

一種磁控鍍膜機解除靶中毒裝置，其特征在于：電磁閥、質量流量控制器、閉環流量控制儀依次通過氣管連接；在所述的閉環流量控制儀上設有一個或一個以上的手動微調閥，在該手動微調閥上連接有供氣管；所述的供氣管上設有一個或一個以上的吹氣口，該吹氣口吹氣位置與磁控靶相對應。

所述的閉環流量控制儀上設有4個手動微調閥。?

所述的吹氣口成對設置。?

本實用新型的有益效果在于：閉環流量控制儀及手動微調閥結構可以均勻地將反應氣體分布在靶的周圍，控制靶周圍反應氣體與濺射氣體的比例，有效防止靶中毒，整體結構簡單，可操作性強，調整方便，使用效果明顯。?

附圖說明

利用附圖對本實用新型作進一步說明，但附圖中的實施例不構成對本實用新型的任何限制。?

圖1是本實用新型示意圖。?

在圖1中包括：?

1、進氣口，?2、電磁閥，?3、質量流量控制器，?4、閉環流量控制儀，?5、手動微調閥，?6、供氣管，?7、吹氣口，?8、磁控靶。

具體實施方式

下面結合實施例對本實用新型作詳細說明。?

圖1中，電磁閥2、質量流量控制器3、閉環流量控制儀4依次通過氣管連接；在所述的閉環流量控制儀4上設有一個或一個以上的手動微調閥5，在該手動微調閥5上連接有供氣管6；所述的供氣管6上設有一個或一個以上的吹氣口7，該吹氣口7吹氣位置與磁控靶8相對應。?

所述的閉環流量控制儀4上設有4個手動微調閥5。?

所述的吹氣口7成對設置。?

在低真空狀態下對靶面進行清洗，電磁閥2接通，氣體通過進氣口1進入質量流量控制器3，經過質量流量控制器3調整流量的氣體進入閉環流量控制儀4，在閉環流量控制儀4上的手動微調閥5對氣體流量進行微調輸出，最后通過供氣管6上的吹氣口7吹出，對磁控靶8表面進行清洗。?

最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非對本實用新型保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型作了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的實質和范圍。?