[實(shí)用新型]堆疊式半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220024047.8
• 申請(qǐng)日: 2012-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN202434509U
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉勝;陳潤(rùn);陳照輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 劉勝
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L23/31
• 代理公司: 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 李平

1.一種堆疊式半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括頂層封裝、底層封裝、頂層封裝和底層封裝之間的焊球陣列、頂層封裝和底層封裝之間的密封劑，其特征在于所述底層封裝基板上設(shè)有一個(gè)凹槽，底層封裝基板的上表面為第一表面，底層封裝基板的下表面為第二表面，底層封裝基板凹槽內(nèi)的表面為第三表面，底層封裝的半導(dǎo)體芯片設(shè)置于凹槽中，第一、第二、第三表面上均設(shè)有焊盤，底層半導(dǎo)體芯片通過鍵合引線與第三表面上的焊盤相連，頂層封裝由一個(gè)或數(shù)個(gè)半導(dǎo)體芯片層疊封裝在頂層封裝基板的上表面之上，頂層封裝基板的上表面及下表面均設(shè)有焊盤，頂層封裝內(nèi)的半導(dǎo)體芯片通過鍵合引線與頂層封裝基板上表面的焊盤相連，頂層封裝部分經(jīng)密封劑密封，頂層封裝和底層封裝之間通過焊盤與焊球陣列連接，頂層封裝基板和底層封裝基板之間填充密封劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底層封裝基板上的凹槽為倒梯形，底層封裝的半導(dǎo)體芯片由貼片膠粘接在凹槽底部，或者用倒裝焊技術(shù)焊接在凹槽底部，半導(dǎo)體芯片與凹槽底部通過焊球連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述頂層封裝的半導(dǎo)體芯片呈層狀堆疊結(jié)構(gòu)，頂層封裝第一半導(dǎo)體芯片與基板互連，頂層封裝的半導(dǎo)體芯片及鍵合引線采用環(huán)氧模塑料密封劑密封，頂層封裝基板的上表面被密封劑封裝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底層封裝基板和頂層封裝基板內(nèi)設(shè)有連接用的電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底層封裝基板的第二表面上設(shè)置有焊球陣列，焊球陣列為絲網(wǎng)印刷或電鍍或蒸鍍的方式涂布焊料，通過回流產(chǎn)生焊球陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述頂層封裝和底層封裝之間為單層或雙層焊球陣列，通過回流使頂層封裝和底層封裝連接在一起，或者在頂層封裝基板的下表面焊盤上電鍍銅柱后沉積焊料層，在底層封裝基板的第一表面焊盤上電鍍銅柱后沉積焊料層，通過回流將頂層封裝基板和底層封裝基板連接在一起，完成頂層封裝體和底層封裝體之間的電互連。